|
Бочаров Е.И., Павлов В.М., Першин Ю.М.
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ
Контрольное задание и методические указания к его выполнению
для студентов заочной формы обучения
Основная профессиональная образовательная программа
210700 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи»
Квалификация бакалавр
Стоимость выполнения контрольной работы по физическим основам электроники составляет ... руб.
Контрольное задание состоит из трех частей (трех самостоятельных заданий)
Вариант 01
Задание 1
Задача 1.1
В полупроводнике n-типа концентрация атомов донорной примеси составляет Nд = 1016 см-3, Т = 300 К.
Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei
Исходные данные:
Материал полупроводника - GaAs.
Задание 2
Задача 2.3
Контактная разность потенциалов в резком p-n-переходе φк0 = 0,7 В. Удельная электрическая проводимость p-области σр = 1 См/см, Т = 300 К.
Определить ширину перехода Δ0 и отношение ширины участков перехода, лежащих в n- и р-областях Δn/Δp.
Исходные данные:
Материал полупроводника – Ge
Диф. длина электронов Ln = 0,017 см
Диф. длина дырок Lр = 0,01 см
Площадь перехода S = 0,001 см2
Подвижность дырок μp = 1900 см2/В·с
Собственная концентрация носителей заряда ni = 2,4·1013
Задание 3
Задача 3.1
Биполярный транзистор n-p-n структуры включен по схеме ОЭ имеет параметры:
сквозной тепловой ток I0 = 10-14 А
коэффициент передачи тока базы β = 150
инверсный коэффициент передачи тока базы β1 = 3.
Заданы напряжения между электродами UБЭ = 0,75 В, UКЭ = 0,70 В.
Определить в каком режиме работает транзистор. Рассчитать токи в цепях эмиттера iэ , коллектора iк и базы iб.
Рассчитать токи iэ, iк и iб при увеличении напряжения Uбэ на 50 мВ.
Вариант 10
Задание 1
Задача 1.11
Полупроводник находится под стационарным внешним воздействием, выражающемся в инжекции в него электроном в сечение хр. Диффузионная длина электронов Ln = 0,01 см.
Определить относительное уменьшение концентрации избыточных электронов на расстоянии х от места их введения Δn(х + хp)/Δn(хp)
Исходные данные:
Материал полупроводника – Ga As
Расстояние х = 0,08 см
Задание 2
Задача 2.3
Контактная разность потенциалов в резком p-n-переходе φк0 = 0,7 В. Удельная электрическая проводимость p-области σр = 1 См/см, Т = 300 К.
Определить ширину перехода Δ0 и отношение ширины участков перехода, лежащих в n- и р-областях Δn/Δp.
Исходные данные:
Материал полупроводника – Ge
Диф. длина электронов Ln = 0,017 см
Диф. длина дырок Lр = 0,01 см
Площадь перехода S = 0,002 см2
Подвижность дырок μp = 1900 см2/В·с
Собственная концентрация носителей заряда ni = 2,4·1013
Задание 3
Задача 3.4
Полевой транзистор с каналом n-типа, включенный по схеме ОИ, имеет параметры:
удельная крутизна b, пороговое напряжение Uпор. Заданы напряжения между электродами Uзи и Uси.
Определить в каком режиме работает транзистор. Рассчитать ток стока iс. Рассчитать ток стока при увеличении напряжения Uзи на 0,4 В.
Исходные данные:
Удельная крутизна b = 10 мА/В2
Пороговое напряжение U пор = -8,0 В
Напряжение между электродами UЗИ = -4,0 В; UСИ = 8,0 В
Вариант 16
Задание 1
Задача 1.4
В полупроводнике р-типа уровень Ферми ЕFp расположен на 0,25 эВ ниже середины запрещенной зоны Еi.
Т = 300 К
Определить концентрации основных и неосновных носителей заряда nр и pр.
Исходные данные:
Материал полупроводника – Ge
Задание 2
Задача 2.6
Обратный тепловой ток резкого p-n-перехода I0 = 10-12 А, сопротивление тела базы равно r’Б, Т = 300 К.
Рассчитать и построить на графике прямую ветвь ВАХ p-n-перехода в интервале токов i = 0…20 мА. Провести ее кусочно-линейную аппроксимацию и определить пороговое напряжение U. Определить смещение прямой ветви ВАХ вдоль оси напряжений Δ u при изменении температуры на ΔТ.
Исходные данные:
Материал полупроводника – Si
Диф. длина электронов Ln = 0,030 см
Диф. длина дырок Lр = 0,02 см
Площадь перехода S = 0,002 см2
Сопротивление тела базы r’Б = 50 Ом
Изменение температуры ΔТ = -10 К
Задание 3
Задача 3.5
Полевой транзистор с каналом n-типа, включенный по схеме ОИ, имеет параметры: удельная крутизна b, пороговое напряжение Uпор. Задано напряжение Uси.
Рассчитать и построить на графике управляющую характеристики транзистора iс = f(Uзи). Расчеты выполнить в диапазоне изменения напряжения Uзи, соответствующем изменению тока iс = 0…20 мА.
Исходные данные:
Удельная крутизна b = 7 мА/В2
Пороговое напряжение Uпор = 4,0 В
Напряжение между электродами UСИ = 8,0 В
Вариант 18
Задание 1
Задача 1.5
В полупроводнике n-типа концентрация атомов донорной примеси составляет
NД = 1017см-3, Т = 300 К.
Определить удельное сопротивление полупроводника ρn и его отношение к удельному сопротивлению собственного проводника ρn/ρi.
Исходные данные:
Материал полупроводника – Ge
Задание 2
Задача 2.4
Отношение ширины участков резкого p-n-перехода, лежащего в n- и p-областях Δn/Δp = 0,1.
Удельная электрическая проводимость p-области σр = 10 См/см, Т = 300 К.
Определить контактную разность потенциалов φк0 и ширину перехода Δ0 в равновесном состоянии (u = 0).
Исходные данные:
Материал полупроводника – Si
Диф. длина электронов Ln= 0,015 см
Диф. длина дырок Lр= 0,01 см
Площадь перехода S = 0,004 см2
Задание 3
Задача 3.5
Полевой транзистор с каналом n-типа, включенный по схеме ОИ, имеет параметры: удельная крутизна b, пороговое напряжение Uпор. Задано напряжение Uси.
Рассчитать и построить на графике управляющую характеристики транзистора iс = f(Uзи). Расчеты выполнить в диапазоне изменения напряжения Uзи, соответствующем изменению тока iс = 0…20 мА.
Исходные данные:
Удельная крутизна b = 9 мА/В2
Пороговое напряжение Uпор = 5,0 В
Напряжение между электродами UСИ = 6,0 В
Вариант 19
Задание 1
Задача 1.2
В полупроводнике n-типа уровень Ферми ЕFn расположен на 0,25 эВ выше середины запрещенной зоны Еi. Т = 300 К.
Определить концентрации основных и неосновных носителей заряда nn и pn.
Исходные данные:
Материал полупроводника – Gе
Задание 2
Задача 2.8
Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны NД = 1018 см-3 и NА = 1016 см-3. Площадь перехода равна S, время жизни неравновесных электронов τ n = 10-6 с, Т = 300 К.
Определит обратный тепловой ток перехода I0, дифференциальное сопротивление rpn и диффузионную емкость перехода Сдиф при прямом токе i = 10 мА.
Исходные данные:
Материал полупроводника – Si
Диф. длина электронов Ln= 0,030 см
Диф. длина дырок Lр= 0,02 см
Площадь перехода S = 0,002 см2
Задание 3
Задача 3.2
Биполярный транзистор n-p-n-структуры, включенный по схеме ОЭ, имеет параметры: сквозной тепловой ток I0, коэффициент передачи тока базы β. Задано напряжение Uкэ.
Рассчитать и построить на графике входную iб = f (Uбэ) и управляющую iк = f (Uбэ ) характеристики транзистора. Расчеты выполнить в диапазоне изменения напряжения Uбэ, соответствующем изменению тока iк = 0…20 мА.
Исходные данные:
Тепловой ток I0 = 1,2·10-13 А
Коэффициенты передачи тока базы β = 70
Напряжение между электродами UКЭ = 12,0 В
Вариант 20
Задание 1
Задача 1.9
Время жизни неравновесных электронов в полупроводнике, находящемся под внешним воздействием, τn = 10-6 с.
Определить относительное уменьшение концентрации избыточных электронов за время t после выключения внешнего воздействия Δn(t)/Δn(0)
Исходные данные:
Материал полупроводника – Ge
Время t = 2·10-6 c
Задание 2
Задача 2.7
Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны NД = 1017 см-3 и NА = 1014 см-3. Площадь перехода равна S, Т = 300 К.
Определит обратный тепловой ток перехода I0, барьерную емкость перехода Сб при подаче на переход обратного напряжения u = 5 В.
Исходные данные:
Материал полупроводника – Si
Диф. длина электронов Ln = 0,045 см
Диф. длина дырок Lр = 0,03 см
Площадь перехода S = 0,001 см2
Задание 3
Задача 3.5
Полевой транзистор с каналом n-типа, включенный по схеме ОИ, имеет параметры:
удельная крутизна b, пороговое напряжение Uпор. Задано напряжение Uси.
Рассчитать и построить на графике управляющую характеристики транзистора iс = f(Uзи). Расчеты выполнить в диапазоне изменения напряжения Uзи, соответствующем изменению тока iс = 0…20 мА.
Исходные данные:
Удельная крутизна b = 11 мА/В2
Пороговое напряжение U пор = 6,0 В
Напряжение между электродами U СИ = 9,0 В
|