whatsappWhatsApp: +79119522521
telegramTelegram: +79119522521
Логин Пароль
и
для авторов
Выполненные ранее работы и работы на заказ

Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)

Гетерогенные процессы в технологии неорганических

Методичка 2010
Методичка 2010. Титульный лист

Министерство образования и науки Российской Федерации
Государственное образовательное учреждение
высшего профессионального образования
Санкт-Петербургский государственный технологический институт
(Технический университет)
Кафедра технологии неорганических веществ и минеральных удобрений
Н.Н. Правдин
Гетерогенные процессы в технологии неорганических веществ
Методические указания для студентов заочной формы обучения
специальности "Химическая технология неорганических веществ"
Санкт-Петербург
2010

Стоимость выполнения всех контрольных работ, а именно контрольных работ 1, 2, 3, на заказ ... руб
Выполнены следующие варианты:

Вариант 3

Контрольная работа 1
1. Какие физико-химические факторы и технологические приемы можно задействовать для повышения эффективности абсорбции плохо растворимого в воде газа?
2. Три метода выпаривания растворов: парообразование на поверхности теплообмена; адиабатное испарение; испарение при прямом контакте с теплоносителем.

Контрольная работа 2
1. Что нужно знать для выбора способа создания пересыщения для конкретного вещества?
2. Произошел сбой в работе отделения фильтрации, скорость фильтрации упала, осадок имеет очень высокую влажность. Какие причины могли привести к сбою? Как это скажется на последующих стадиях и качестве продукта?
3. Чем обусловлен выбор метода промывки осадка? Особенности промывки на фильтрах периодического и непрерывного действия.

Контрольная работа 3
1. Особенности сушки и обезвоживания кристаллогидратов.
2. Гранулирование методом приллирования (диспергирования плавов).
3. Слеживание сыпучих материалов.

Вариант 1, Вариант 2, Вариант 3, Вариант 4, Вариант 5, Вариант 7

показать все


Мы используем cookie. Продолжая пользоваться сайтом,
вы соглашаетесь на их использование.   Подробнее