Санкт-Петербургский Государственный Университет Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича

Министерство Российской Федерации по связи и информатизации
Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им.проф. М.А.Бонч-Бруевича
Факультет вечернего и заочного обучения
Е.И. Бочаров
ЭЛЕКТРОНИКА
Программа, контрольное задание и методические указания
200900, 201000, 201100
Санкт-Петербург
2004

Стоимость выполнения контрольной работы по электронике составляет ... руб

Контрольные задания

Задание 1
Задача 1.1
Схема усилительного каскада на биполярном транзисторе, включенном по схеме ОЭ, приведена на рис. Значения элементов схемы, параметры входного сигнала и нагрузки, а также масштабные коэффициенты N и M приведены в таблице исходных данных. Внутреннее сопротивление генератора и масштабный коэффициент для всх вариантов равны R = 10 кОм и L = 4.
Требуется:
Провести графический расчет усилительного каскада и определить его основные параметры.

Задача 1.2
Схема усилительного каскада на биполярном транзисторе, включенном по схеме ОЭ, приведена на рис. Значения элементов схемы, параметры входного сигнала и нагрузки, а также масштабные коэффициенты N и M приведены в таблице исходных данных. Внутреннее сопротивление генератора и масштабный коэффициент для всх вариантов равны R = 10 кОм и L = 4.
Требуется:
Провести аналитический расчет усилительного каскада на основе малосигнальной схемы замещения транзистора и определить его основные параметры

Задача 1.3
Схема усилительного каскада на полевом транзисторе с управляющим p-n-переходом, включенном по схеме ОИ, приведена на рисунке 1.1. Значения элементов схемы, параметры входного сигнала и нагрузки, а также основные параметры управляющей характеристики транзистора приведены в таблице исходных данных. Внутреннее сопротивление генератора и сопротивление в цепи затвора для всех вариантов равны RГ =10 кОм и RЗ =1 МОм.
Требуется:
Провести аналитический расчет усилительного каскада и определить его основные параметры.

Задание 2
Задача 2.1
Схема электронного ключа на биполярном транзисторе приведена на рис. Значения элементов схемы и масштабные коэффициенты N и M представлены в таблице исходных данных. Масштабный коэффициент L = 1 для всех вариантов. Семейства входных и выходных статических характеристик транзистора приведены на рисунках.
Требуется:
1. Построить статическую передаточную характеристику ключа.
2. Определить основные параметры ключа: уровни логических нуля U0 и единицы U1, логического перепада UЛ, минимальные уровни отпирающей и запирающей помех U0П и U1П, коэффициент помехоустойчивости КП.
3. Описать принцип работы ключа и указать, в каких базовых логических элементах он используется.

Задача 2.2
Схема электронного ключа на МДП-транзисторе приведена на рис. Значения элементов схемы и масштабные коэффициенты N представлены в таблице исходных данных. Семейство выходных характеристик транзистора приведено на рисунке
Требуется:
1. Построить статическую передаточную характеристику ключа.
2. Определить основные параметры ключа: уровни логических нуля U0 и единицы U1, логического перепада UЛ, минимальные уровни отпирающей и запирающей помех U0П и U1П, коэффициент помехоустойчивости КП.
3. Описать принцип работы ключа.

Задача 2.3
Схема электронного ключа на комплементарной паре МДП-транзисторов приведена на рис. Напряжение источника питания и масштабный коэффициент N представлены в таблице исходных данных. Семейства выходных характеристик активного и нагрузочного транзисторов приведены на рис.
Требуется:
1. Построить статическую передаточную характеристику ключа.
2. Определить основные параметры ключа: уровни логических нуля U0 и единицы U1, логического перепада UЛ, минимальные уровни отпирающей и запирающей помех U0П и U1П, коэффициент помехоустойчивости КП.
3. Описать принцип работы ключа и указать, в каких базовых логических элементах он используется.

Задание 3
На рисунке представлена схема различных генератора прямоугольных импульсов на основе операционного усилителя. Номер схемы и значения ее элементов, а также способ напыления тонких пленок приведены для каждого варианта в таблице исходных данных. Обозначение выводов и размеры бескорпусного операционного усилителя приведены на рисунке.
Требуется:
Разработать топологию тонкопленочной гибридной интегральной схемы, реализующей данное устройство на основе бескорпусного операционного усилителя, и нарисовать чертеж топологии в масштабе 10:1.

В контрольной работе необходимо выполнить всего 3 задачи по варианту.

Бочаров Е.И., Павлов В.М., Першин Ю.М.
ЭЛЕКТРОНИКА
Контрольное задание
и методические указания к его выполнению
для студентов заочной формы обучения
Основная профессиональная образовательная программа
210700 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи»
Квалификация бакалавр

Стоимость выполнения контрольной работы по электронике ....

Контрольная работа

ЗАДАНИЕ 1
Задача 1.1
Схема электронного ключа на биполярном транзисторе приведена на рис. 1,а. Значения элементов схемы и масштабные коэффициенты N и M представлены в таблице исходных данных. Семейства входных и выходных статических характеристик транзистора приведены на рис. 2 и 3.
Требуется:
1. Построить статическую передаточную характеристику ключа.
2. Определить основные параметры ключа: уровни логических нуля U⁰ и единицы U¹, логического перепада U_Л, минимальные уровни отпирающей и запирающей помех U⁰_П и U¹_П, коэффициент помехоустойчивости К_П.
3. Описать принцип работы ключа и указать, в каких базовых логических элементах он используется.
Задача 1.2
Схема электронного ключа на МДП-транзисторе приведена на рис. 1,б. Значения элементов схемы и масштабный коэффициент N представлены в таблице исходных данных. Семейство выходных характеристик транзистора приведено на рис. 4.
Требуется:
1. Построить статическую передаточную характеристику ключа.
2. Определить основные параметры ключа: уровни логических нуля U⁰ и единицы U¹, логического перепада U_Л, минимальные уровни отпирающей и запирающей помех U⁰_П и U¹_П, коэффициент помехоустойчивости К_П.
3. Описать принцип работы ключа.

ЗАДАНИЕ 2
На рис. 5 представлены схемы различных аналоговых устройств на основе операционного усилителя. Номер схемы и значения ее элементов, а также способ напыления тонких пленок приведены для каждого варианта в таблице исходных данных. Обозначение выводов и размеры бескорпусного операционного усилителя приведены на рис. 6.
Требуется:
Разработать топологию тонкопленочной гибридной интегральной схемы, реализующей данное устройство на основе бескорпусного операционного усилителя, и нарисовать чертеж топологии в масштабе 10:1.

Министерство Российской Федерации по связи и информатизации
Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им.проф. М.А.Бонч-Бруевича
Факультет вечернего и заочного обучения
Б.Н. Пирогов
ЭЛЕКТРОНИКА
Методические рекомендации
210200
Санкт-Петербург
2000

Стоимость выполнения контрольной работы по электронике составляет ... руб

Контрольная работа

Задача 1
Дано: непериодический сигнал с периодом Т = 1 с
Определить:
- величину постоянной составляющей сигнала;
- амплитуды и начальные фазы первых пяти гармоник сигнала.
Восстановить исходный сигнал по полученным составляющим сигнала (восстановление осуществляется не менее, чем по двадцати одной точке в пределах периода сигнала).

Задача 2
Дано: пассивный четырехполюсник
Определить:
- передаточную характеристику по напряжению в комплексной и операторной формах;
- амплитудно-частотную характеристику;
- фазо-частотную характеристику;
- импульсную характеристику;
- переходную характеристику.

Задача 3
Дано: нелинейный четырехполюсник VD
Необходимо:
- записать функциональную характеристику, связывающую входное и выходное напряжения;
- рассчитать функциональную характеристику в диапазоне входных напряжений от -5 В до +5 В с шагом 1 В с максимальной погрешностью ε = 0,01;
- найти выходной сигнал, если на входе действует гармоническое колебание (при этом количество точек на период входного сигнала должно быть не менее 5).

Задача 4
Дано: активный фильтр второго порядка
Определить:
- передаточную характеристику по напряжению в операторном виде;
- передаточную характеристику по напряжению в комплексном виде;
- амплитудно-частотную и фазо-частотную характеристики (построить графики);
- функции чувствительности АЧХ и ФЧХ по заданному элементу αiкр (построить графики);
- критическое значение αiкр.

Задача 5
Дано: дискретно-аналоговый преобразователь
Определить;
- разностное уравнение;
- передаточную функцию;
- нули и полюсы передаточной функции;
- амплитудно-частотную и фазо-частотную характеристики фильтра;
- импульсную характеристику.

Задача 6
Дано: логическая функция задана картой Карно на четырех входных аргументах х1, х2, х3, х4
Необходимо:
- построить таблицу истинности;
- найти минтермы и макстермы;
- определить структурную формулу в СНКФ и СНДФ, упростить формулу, используя законы алгебры логики и следствий из них;
- определить структурную формулу по карте Карно;
- построить структурную схему с использованием элементов И, ИЛИ и НЕ.

Выполняем тестирование он-лайн для студентов Университета Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича по Электронике.
Стоимость прохождения on-line теста 1 по разделу 2 уточняйте при заказе (присылаете логин и пароль от личного кабинета, мы сообщим Вам стоимость).

Ответы на тест 1 по разделу 2 по Электронике выложены у нас на сайте.
Стоимость за ответ указана напротив каждого вопроса.

Укажите три схемы усилительных каскадов наименее чувствительные к разбросу параметров транзистора

схемы 1,2,3
схемы 2,1,4
схемы 1,3,4
схемы 2,3,4

Укажите простейшую схему генератора стабильного тока на биполярном транзисторе.

Укажите схему усилительного каскада с динамической нагрузкой

Укажите рабочую точку транзисторного генератора стабильного тока

точка 1
точка 2
точка 3
точка 4

Укажите составной p-n-р-транзистор, включенный по схеме Дарлингтона

Укажите формулу для коэффициента усиления по току KI приведенной на рисунке схемы усилительного каскада.

K_I ≈ α
K_I ≈ β
K_I ≈ α+1
K_I ≈ β+1

Укажите формулу для коэффициента усиления по току K_I приведенной на рисунке схемы усилительного каскада с общим коллектором

K_I ≈ α·β
K_I ≈ α+1
K_I ≈ β+1
K_I ≈ S·R_K

Укажите формулу для коэффициента усиления по току KI приведенной на рисунке схемы усилительного каскада с общей базой

K_I ≈ α
K_I ≈ β
K_I ≈ α+1
K_I ≈ β+1

Укажите два рисунка, на которых транзистор включен по схеме с общим коллектором

Укажите формулу для входного сопротивления rВХ приведенного на рисунке усилительного каскада на полевом транзисторе 

r_ВХ=R_C
r_ВХ=R₃
r_ВХ→0
r_ВХ→1

Почему в микросхемотехнике используют схемы сдвига уровня, а не разделительные конденсаторы?
1. потому, что микроэлектронные конденсаторы большой емкости слишком дорогие
2. для повышения стабильности схем
3. потому, что реализация конденсаторов значительной емкости в микроэлектронике невозможна технологически
4. для повышения верхней граничной частоты

Укажите формулу для коэффициента усиления по напряжению KU приведенной на рисунке схемы усилительного каскада

Укажите составной транзистор по схеме Шиклаи, выполняющий функцию p-n-р-транзистора

Укажите составной транзистор по схеме Шиклаи, выполняющий функцию n-р-n-транзистора

Укажите причину накопления постоянной составляющей напряжения в многокаскадных усилителях с непосредственной связью между каскадами.
1. для обеспечения активного режима потенциал коллектора n-p-n- транзистора в каждом каскаде должен быть больше, чем потенциал базы
2. наличие напряжения переменного сигнала, добавляющегося к напряжению смещения
3. нелинейность передаточной характеристики усилительных каскадов
4. инерционность реальных усилительных каскадов

Укажите схему усилительного каскада с коллекторной стабилизацией

Укажите схему усилительного каскада с фиксированным током эмиттера.

Какую роль выполняет динамическая нагрузка в усилительном каскаде?
1. роль реальной нагрузки (получателя сигнала)
2. роль схемы сдвига потенциального уровня
3. роль высокоомногоколлекторного (блокирующего)резистора
4. роль элемента, дифференцирующего сигнал

Назовите два основных метода сдвига потенциальных уровней в многокаскадных усилителях с непосредственной связью между каскадами?
1. емкостной делитель напряжения
2. линейный резистивный делитель напряжения
3. чередование каскадов на n-p-n- и p-n-p-транзисторах
4. нелинейный делитель напряжения

Почему токозадающий резистор применяется для стабилизации тока только в маломощных цепях?
из-за отсутствия усиления по напряжению

из-за температурной нестабильности токозадирающего резистора

из-за низкого КПД

из-за отсутствия усиления по току

Укажите приближенную формулу для коэффициента передачи тока базы β составного транзистора

β≈β₁+β₂

β≈β₁·β₂

β≈1+β₂/β₁

β≈1+β₁/β₂

Укажите три схемы, обеспечивающие сдвиг потенциального уровня

Укажите формулу для коэффициента передачи по напряжению K_U приведенной на рисунке схемы усилительного каскада с общим коллектором

K_U ≈ 1

K_U ≈ β

K_U ≈ α+1

K_U ≈ β+1

Укажите схему усилительного каскада с фиксированным током базы

Укажите три преимущества транзисторного генератора стабильного тока по сравнению с токозадающим резистором

меньше напряжения питания

меньшая стоимость

больший КПД

возможность регулирования тока нагрузки

Укажите формулу для коэффициента усиления по напряжению K_U приведенного на рисунке усилительного каскада на полевом транзисторе

Укажите формулу для коэффициента усиления по напряжению K_U приведенного на рисунке усилительного каскада на МДП-транзисторе

Укажите приближенную формулу коэффициента стабилизации тока K_СТ с помощью токозадающего резистора R₀

Как динамическая нагрузка позволяет выбирать величину реальной нагрузки усилительного каскада?

позволяет увеличить нагрузку

позволяет использовать реактивную нагрузку

позволяет уменьшить нагрузку

не влияет на оптимальную величину нагрузки

Укажите формулу для коэффициента передачи по напряжению K_U привиденного на рисунке усилительного каскада на МДП-транзисторе

Как изменяется пороговое напряжение составного транзистора по сравнению с пороговым напряжением одиночного транзистора?

уменьшается в 1,5 раза

увеличивается в 2 раза

остается неизменным

уменьшается в 2 раза

Укажите два рисунка, на которых транзистор включен по схеме с общим эмиттером

Укажите формулу для коэффициента усиления по напряжению K_U приведенного на рисунке усилительного каскада на полевом транзисторе

Укажите рисунок, на котором транзистор включен по схеме с общей базой

Укажите формулу для входного сопротивления r_ВХ приведенного на рисунке усилительного каскада на полевом транзисторе

r_вх → 1

r_вх → 0

r_вх = R_З

r_вх = R_С

Почему схема генератора стабильного тока типа «токовое зеркало» особенно эффективна в микроэлектронном исполнении?

потому, что потребляется очень малый ток

потому, что малы размеры элементов

потому, что меньше значения пороговых напряжений транзисторов

потому, что идентичны параметры транзисторов

Укажите приближенную формулу коэффициента стабилизации тока KСТ транзисторного генератора стабильного тока

Укажите формулу для входного сопротивления rВХ приведенного на рисунке усилительного каскада на МДП-транзисторе

r_вх → 0

r_вх = R_З1 || R_З2

r_вх = R_С

r_вх → 1 

Почему граничная частота n-p-n-транзистора выше граничной частоты p-n-p-транзистора?

потому, что ширина базы n-p-n-транзистора больше ширины базы p-n-p-транзистора

потому, что эффективная масса электронов больше эффективной массы дырок

потому, что подвижность дырок выше подвижности электронов

потому, что подвижность электронов выше подвижности дырок

Как изменяется входное r_ВХ и выходное rвых составного транзистора по сравнению с аналогичными параметрами одиночного транзистора?

r_ВХ - увеличивается, r_ВыХ - уменьшается

r_ВХ - увеличивается, r_ВыХ ​- увеличивается

r_ВХ - уменьшается, r_ВыХ ​- увеличивается

r_ВХ - уменьшается, r_ВыХ ​- уменьшается

Укажите простейшую схему генератора стабильного тока на полевом транзисторе

Почему схема генератора стабильного тока типа «токовое зеркало» редко используется в дискретной электронике?

из-за большой потребляемой мощности

потому, что трудно подобрать транзисторы с одинаковыми параметрами

из-за негативного влияния корпусов транзисторов

из-за большей стоимости

Укажите формулу для входного сопротивления rВХ приведенной на рисунке схемы усилительного каскада с общей базой

r_вх ≈ 1/S

r_вх ≈ α + 1

r_вх ≈ β/S

r_вх ≈ β + 1

Укажите две схемы усилительного каскада с эмиттерной стабилизацией

Укажите составной n-p-n-транзистор, включенный по схеме Дарлингтона

Укажите простейшую схему генератора стабильного тока типа «токовое зеркало»

Выполняем тестирование он-лайн для студентов Университета Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича по Электронике.
Стоимость прохождения on-line теста 1 по разделу 3 уточняйте при заказе (присылаете логин и пароль от личного кабинета, мы сообщим Вам стоимость).

Ответы на тест 1 по разделу 3 по Электронике выложены у нас на сайте.
Стоимость за ответ указана напротив каждого вопроса.

Как обозначается на функциональных схемах логический элемент, реализующий операцию НЕ?

Как обозначается на функциональных схемах логический элемент, реализующий операцию И-НЕ?

Как обозначается на функциональных схемах логический элемент, реализующий операцию ИЛИ-НЕ?

Как обозначается на функциональных схемах логический элемент, реализующий операцию ИЛИ?

Как обозначается на функциональных схемах логический элемент, реализующий операцию И?

Укажите три наиболее важных свойства транзисторного ключа

экономичность

помехоустойчивость

логический перепад

быстродействие

Укажите фрагмент логического элемента, выполняющий функцию И.

Укажите фрагмент логического элемента, выполняющий функцию ИЛИ

На передаточной характеристике логического элемента инвертора укажите две точки, для которых разность входных напряжений равна логическому перепаду U^Л.

точка 1

точка 2

точка 4

точка 3

Укажите три простейшие логические операции

логическое умножение (конъюнкция)

логическое сложение (дизъюнкция)

логическое деление

логическое отрицание (инверсия)

Как зависит помехоустойчивость логического элемента от величины логического перепада?

помехоустойчивость не зависит от логического перепада

логический перепад зависит от помехоустойчивости

с ростом логического перепада помехоустойчивость уменьшается

с ростом логического перепада помехоустойчивость увеличивается

Какие сигналы формируются на выходах базовых логических элементов?

световые

аналоговые

двоичные

звуковые

Укажите схему электронного ключа на полевом транзисторе

Какие два уровня сигнала соответствующие логическим нулю и единице в положительной логике?

логическому нулю - пороговый уровень переключения

логической единице - пороговый уровень переключения

логическому нулю - низкий уровень сигнала или его отсутствие

логической единице - высокий уровень сигнала

Какую логическую функцию можно реализовать с помощью транзисторного ключа?

ИЛИ (дизъюнкцию)

функцию логического деления

И (конъюнкцию)

НЕ (инверсию)

Укажите два основных преимущества цифровых сигналов, по сравнению с аналоговыми, при передаче информации каналам связи?

для обработки цифровых сигналов требуется значительно более сложная аппаратура

качество передаваемого сигнала на приёмной стороне практически такое же, как и на передающей

цифровые сигналы позволяют передавать больше информации

при незначительных искажениях сигнала возможно практически полное его восстановление (регенерация)

Назовите два основных фактора, ограничивающих быстродействие логических элементов на биполярных транзисторах

процессы накопления и рассасывания заряда в транзисторах

уровень напряжения логического нуля

процессы заряда и разряда ёмкостей межэлементных соединений

уровень напряжения логической единицы

Укажите два активных элемента, которые чаще всего используются в схемах электронных ключей

туннельный диод

полевой транзистор

нелинейный конденсатор

биполярный транзистор

На передаточной характеристике логического элемента инвертора укажите точку, в которой входное напряжение соответствует номинальному значению логической единицы (U_ВХ= U¹)

точка 1

точка 2

точка 3

точка 4

Как называется логический элемент, реализующий функцию НЕ? 

дезинтегратор

инвертор

отрицатель

неповторитель

Укажите два основных отличия между аналоговыми и цифровыми сигналами

амплитуда

форма

длительность

способ кодирования информации

Какие электрические сигналы называют цифровыми?

сигналы, скорость распространения которых зависит от количества цифр в их составе

сигналы, в которых чередуются цифры

сигналы, которых передаётся по цифровым проводам

сигналы, описываемые дискретными функциями времени, в которых чередуются два строго определённых уровня напряжения (тока)

На передаточной характеристике логического элемента инвертора укажите две точки, ограничивающие область неопределенности.

точка 1

точка 2

точка 3

точка 4

Укажите схему электронного ключа на биполярном транзисторе

Что понимается под электронный ключом в цифровой схемотехнике?

устройство для отпирания двери с электронным замком

электронный коммутирующий элемент (например, транзисторная схема), способный находиться в одном из двух состояний: проводящем электрический ток и непроводящем

электронное контактное устройство

транзисторный каскад для формирования посылок кода Морзе

Что представляет собой передаточная характеристика логического элемента?

зависимость скорости передачи сигнала через логический элемент от уровня входного сигнала

объем информации передаваемый через логический элемент в единицу времени

зависимость выходного напряжения от напряжения на входе логического элемента

энергия, передаваемая со входа на выход логического элемента

На передаточной характеристике логического элемента инвертора укажите точку, в которой входное напряжение соответствует номинальному значению логического нуля (U_вх= U⁰)

точка 1

точка 2

точка 3

точка 4

Какой параметр логического элемента называется логическим перепадом? 

разность напряжения логической единицы и порового напряжения переключения

разность напряжений между уровнями логических единицы и нуля

разность напряжений источника питания и на входе логического элемента

разность напряжений на входе и выходе логического элемента

Укажите основное преимущество цифровых телекоммуникационных систем по сравнению с аналоговыми

меньшая потребляемая мощность

более высокий КПД

меньшая сложность оборудования

более высокая достоверность передачи информации

Какие сигналы обрабатываются логическими элементами?

звуковые сигналы

двоичные (цифровые) сигналы

радиосигналы

аналоговые сигналы

Укажите простейшую логическую операцию, являющуюся функцией одной логической переменной

логическое сложение (дизъюнкция)

логическое умножение (конъюнкция)

логическое отрицание (инверсия)

логическое деление

Какие три параметра логических элементов считаются наиболее важными?

среднее время задержки распространения сигнала

статический коэффициент помехоустойчивости

количество выходов

средняя потребляемая мощность

В чём заключается главная особенность отрицания (инверсии) по сравнению с другими логическими функциями? 

в том, что она является функцией только одной логической переменной

двойное отрицание – эквивалентно утверждению, а двойное утверждение не эквивалентно отрицанию

отрицание не является логической функцией

функция, такая же как конъюнкция или дизъюнкция

Искажения при передаче каких сигналов (аналоговых или цифровых) корректируются более эффективно?

ни один из сигналов не поддаётся коррекции

цифровых

оба вида сигналов корректируются одинаково эффективно

аналоговых

Сколько логических элементов И-НЕ необходимо для реализации логической функции ИЛИ-НЕ?

три

один

два

четыре

Сколько логических элементов ИЛИ-НЕ необходимо для реализации логической функции И-НЕ?

два

три

четыре

один

Какой параметр логического элемента называется коэффициентом разветвления по выходу?

количество ветвей логического элемента

количество выходов логического элемента

количество независимых выходов логического элемента

максимальное количество входов аналогичных логических элементов, которое может быть подключено к выходу данного логического элемента

Какой параметр логического элемента называется коэффициентом объединения по входу?

количество входов логического элемента

количество входов логического элемента, которые можно соединить вместе

количество выходов логических элементов, к которым может быть подключён вход данного элемента

количество входов данного логического элемента, которые можно соединить со входами других логических элементов

Что представляют собой базовые логические элементы?

это логические элементы, позволяющие осуществлять логические построения

это логические элементы, которые служат основой элементной базы цифровой схемотехники

это схемы, работающие по законам логики

это логические элементы, на базе которых создаются электронные схемы

Укажите наиболее важную из статических характеристик логического элемента

выходная

входная

передаточная

тепловая

Что такое работа переключения логического элемента?

средняя работа, затрачиваемая на выполнение переключения логического элемента из одного устойчивого состояния в другое

уровень энергии, при достижении которого логический элемент переключается

энергия, подводимая к логическому элементу от источника питания

работа, совершаемая логическим элементом по поддержанию уровня выходного сигнала

Что называется логическим элементом?

устройство (электрическая схема), логически оперирующее входными цифровыми сигналами

устройство, построенное по законам логики

устройство (электрическая схема), реализующая одну из операций алгебры логики

устройство, формирующее на выходе логический сигнал

Укажите передаточную характеристику инвертирующих логических элементов

Что такое средняя статическая мощность, потребляемая логическим элементом?

средняя мощность, потребляемая логическим элементом в состоянии логического нуля

среднее арифметическое значение мощности, потребляемой логическим элементом в состояниях логических нуля и единицы

среднее геометрическое значение мощности, потребляемой логическим элементом в состояниях логических нуля и единицы

средняя мощность, потребляемая логическим элементом в состоянии логической единицы

Назовите три основных фактора, определяющих быстродействие логических элементов на полевых транзисторах

процессы заряда и разряда ёмкостей межэлементных соединений

уровень напряжения логического нуля

технология изготовления

процессы накопления и рассасывания заряда в транзисторах

Какая из приведенных на рисунках схем позволяет реализовать логическую функцию И-НЕ?

Выполняем тестирование он-лайн для студентов Университета Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича по Электронике.
Стоимость прохождения on-line теста 2 по разделу 2 уточняйте при заказе (присылаете логин и пароль от личного кабинета, мы сообщим Вам стоимость).

Ответы на тест 2 по разделу 2 по Электронике выложены у нас на сайте.
Стоимость за ответ указана напротив каждого вопроса.

Укажите схему инвертирующего усилителя на основе операционного усилителя

Укажите схему инвертирующего дифференциатора на основе операционного усилителя.

Укажите вывод для подключения положительного полюса источника питания.

вывод 6
вывод 1
вывод 3
вывод 5

На передаточной характеристике операционного усилителя укажите участок, соответствующий напряжению смещения U_см.

участок 4
участок 2
участок 1
участок 3

Укажите две причины, по которым в выходных каскадах мощных аналоговых интегральных схем используется двухтактный повторитель напряжения?

потому, что позволяет увеличить КПД усилителя

потому, что позволяет увеличить выходное сопротивление усилителя

потому, что позволяет сузить полосу усиливаемых частот

потому, что позволяет уменьшить выходное сопротивление усилителя

Укажите приближенное выражение для коэффициента передачи синфазного сигнала K_U простейшего дифференциального усилительного каскада с однофазным выходом

Укажите приближенное выражение для коэффициента усиления дифференциального сигнала K_U простейшего дифференциального усилительного каскада c однофазным выходом

Укажите функцию, которую реализует приведенная на рисунке схема на основе операционного усилителя

интегрирование с инверсией

дифференцирование с инверсией

усиление с инверсией

усиление без инверсии

Укажите назначение конденсатора в схеме приведенного на рисунке операционного усилителя

обеспечивает коррекцию частотной характеристики операционного усилителя

обеспечивает расширение полосы усиливаемых частот операционного усилителя

обеспечивает снижение потребляемой мощности

обеспечивает коррекцию напряжения смещения

С какой целью используется частотная коррекция в операционном усилителе?
для выравнивания частотной характеристики операционного усилителя

для расширения диапазона усиливаемых частот операционного усилителя

для борьбы с самовозбуждением операционного усилителя

для линеаризации передаточной характеристики операционного усилителя

Укажите формулу, связывающую Uвых и Uвх приведенного на рисунке устройства на основе операционного усилителя с глубокой отрицательной обратной связью.

Укажите функцию, которую реализует приведенная на рисунке схема на основе операционного усилителя

усиление с инверсией

усиление без инверсии

интегрирование с инверсией

дифференцирование с инверсией

Укажите назначение диодов VD1 и VD2 в схеме приведенного на рисунке операционного усилителя.

с их помощью создаются напряжения смещения на базах транзисторов VT4 и VT5

на их основе построен дифференциальный усилительный каскад

на их основе построен усилитель напряжения

на их основе построен повторитель напряжения

Укажите формулу для коэффициента усиления неинвертирующего усилителя на основе операционного усилителя с глубокой отрицательной обратной связью.

Укажите назначение транзистора VT3 в схеме приведенного на рисунке операционного усилителя. 

на его основе построен дифференциальный усилительный каскад

на его основе построен усилитель напряжения

на его основе создаются смещения на базах транзисторов VT4 и VT5

на его основе построен повторитель напряжения

Укажите точку дифференциального усилительного каскада, общую для входной и выходной цепей.

точка 1

точка 2

точка 3

точка 4

Укажите схему неинвертирующего усилителя на основе операционного усилителя.

Укажите две простейшие схемы дифференциального усилительного каскада на полевых транзисторах

Укажите функцию, которую реализует приведенная на рисунке схема на основе операционного усилителя

усиление без инверсии

усиление с инверсией

дифференцирование с инверсией

интегрирование с инверсией

Укажите формулу, связывающую напряжения на выходе и на входах идеального дифференциального усилительного каскада?

Укажите вывод, соответствующий общему выводу операционного усилителя.

вывод 2

вывод 3

вывод 5

вывод 1

Укажите вывод, соответствующий инвертирующему входу операционного усилителя.

вывод 6

вывод 3

вывод 1

вывод 5

Укажите вывод, соответствующий неинвертирующему входу операционного усилителя.

вывод 3

вывод 2

вывод 1

вывод 5

Почему вместо токозадающего резистора в дифференциальных усилительных каскадах используется транзисторный генератор тока?

потому, что у транзисторного генератора тока большое дифференциальное сопротивление и малое сопротивление постоянному току

потому, что при использовании транзисторного генератора тока усиление синфазного сигнала оказывается выше

потому, что интегральный транзистор меньше интегрального резистора

потому, что при использовании транзисторного генератора тока увеличивается полоса усиливаемых частот

Укажите вывод для подключения отрицательного полюса источника питания.

вывод 3

вывод 5

вывод 4

вывод 1

Укажите формулу для коэффициента усиления инвертирующего усилителя на основе операционного усилителя с глубокой отрицательной обратной связью

Укажите назначение транзисторов VT4 и VT5 в схеме приведенного на рисунке операционного усилителя

на их основе построен двухтактный повторитель напряжения

обеспечивают частотную коррекцию операционного на их основе усилителя

на их основе построен усилитель напряжения

на их основе построен дифференциальный усилительный каскад

Почему операционный усилитель должен иметь большой коэффициент усиления дифференциального сигнала? 

для увеличения ширины полосы пропускания операционного усилителя

для обеспечения приемлемого усиления в схемах с глубокой отрицательной обратной связью

для устранения самовозбуждения операционного усилителя

для обеспечения возможности использования положительной обратной связи

Укажите упрощенную схему двухтактного повторителя напряжения

Какую роль играют диоды в приведенной на рисунке схеме повторителя напряжения?

расширяют полосу усиливаемых частот каскада

уменьшают входное сопротивление каскада

уменьшают нелинейные искажения выходного напряжения каскада

повышают радиационную стойкость каскада

Укажите простейшую схему дифференциального усилительного каскада на биполярных транзисторах.

Что представляет собой синфазный входной сигнал?

разность напряжений, подаваемых на коллекторы транзисторов дифференциального усилительного каскада

полусумму напряжений, подаваемых на базы транзисторов дифференциального усилительного каскада

разность напряжений, подаваемых на базы транзисторов дифференциального усилительного каскада

полусумму напряжений, подаваемых на коллекторы транзисторов дифференциального усилительного каскада

Укажите передаточную характеристику идеального операционного усилителя.

Укажите формулу, связывающую выходное и входные напряжения идеального операционного усилителя.

Укажите назначение генератора тока I₁ в схеме приведенного на рисунке операционного усилителя.

играет роль динамической нагрузки транзисторов VT1и VT2

корректирует напряжение смещения операционного усилителя

используется для частотной коррекции операционного усилителя

задает суммарный ток транзисторов VT1 и VT2 дифференциального усилительного каскада

Укажите назначение транзисторов VT1 и VT2 в схеме приведенного на рисунке операционного усилителя.

на их основе построен повторитель напряжения

на их основе построен усилитель напряжения

на их основе создаются смещения на базах транзисторов VT4и VT5

на их основе построен дифференциальный усилительный каскад

Какую роль играют резисторы в приведенной на рисунке схеме повторителя?

расширяют полосу усиливаемых частот

защищают диоды от возможных перегрузок по току

уменьшают входное сопротивление повторителя

создают на каждом из диодов смещение, равное пороговому напряжению транзистора

Какой порядок имеет максимальный коэффициент усиления дифференциального сигнала универсального операционного усилителя?

10 - 10²

10⁴ – 10⁵

10² – 10³

10⁶ – 10⁸

Какое напряжение называется напряжением смещения Uсм операционного усилителя?

выходное напряжение, при котором синфазное входное напряжение равно нулю

дифференциальное входное напряжение, при котором выходное напряжение равно нулю

дифференциальное входное напряжение, при котором выходное напряжение равно положительному

напряжению источника питания синфазное входное напряжение, при котором

выходное напряжение равно нулю

Укажите схему, соответствующую подаче на вход операционного усилителя синфазного сигнала

Почему дифференциальный усилительный каскад эффективно усиливает дифференциальный сигнал и в то же время ослабляет синфазный?

дифференциальный и синфазный сигналы усиливаются одинаково эффективно

синфазный сигнал не попадает в рабочую полосу частот усилителя

дифференциальный сигнал не создает падения напряжения на токозадающем резисторе, обеспечивающем отрицательную обратную связь для синфазного сигнала

синфазный сигнал вызывает ограничение токов дифференциального усилителя и не усиливается

Укажите функцию, которую реализует приведенная на рисунке схема на основе операционного усилителя

усиление с инверсией

интегрирование с инверсией

усиление без инверсии

дифференцирование с инверсией

Укажите две схемы, соответствующие подаче на вход операционного усилителя дифференциального сигнала.

Укажите две схемы включения дифференциального усилительного каскада (ДК), обеспечивающие усиление дифференциального сигнала

Укажите два назначения генератора тока I₂ в схеме приведенного на рисунке операционного усилителя

обеспечивает термостабилизацию операционного усилителя

создает напряжение смещения U^* на диодах VD1 иVD2

задает токи базы транзисторов VT4 и VT5

играет роль динамической нагрузки транзистора VT3

Почему в выходных каскадах аналоговых интегральных схем часто используется повторитель напряжения?

потому, что позволяет увеличить КПД усилителя

потому, что позволяет увеличить выходное сопротивление усилителя

потому, что позволяет уменьшить выходное сопротивление усилителя

потому, что позволяет сузить полосу усиливаемых частот

Что представляет собой дифференциальный входной сигнал?

полусумму напряжений, подаваемых на базы транзисторов дифференциального усилительного каскада

разность напряжений, подаваемых на коллекторы транзисторов дифференциального усилительного каскада

разность напряжений, подаваемых на базы транзисторов дифференциального усилительного каскада

полусумму напряжений, подаваемых на коллекторы транзисторов дифференциального усилительного каскада

Укажите вывод, соответствующий выходу операционного усилителя.

вывод 1

вывод 5

вывод 6

вывод 2

Укажите схему инвертирующего интегратора на основе операционного усилителя.

Выполняем тестирование он-лайн для студентов Университета Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича по Электронике.
Стоимость прохождения on-line теста 2 по разделу 3 уточняйте при заказе (присылаете логин и пароль от личного кабинета, мы сообщим Вам стоимость).

Ответы на тест 2 по разделу 3 по Электронике выложены у нас на сайте.
Стоимость за ответ указана напротив каждого вопроса.

Какую функцию выполняют многоэмиттерный транзистор (МЭТ) VT1 и резистор Р1 в работе логических элементов, схемы которых приведены на рисунках?

отрицание логических сигналов (функция НЕ)

перемножение логических сигналов (функция И)

суммирование логических сигналов (функция ИЛИ)

деление логических сигналов

К какому типу логики относится логический элемент, схема которого приведена на рисунке?

эмиттерно-связанная логика (ЭСЛ)

диодно-транзисторная логика (ДТЛ)

тразисторно-транзисторная логика (ТТЛ)

интегральная инжекционная логика (И²Л)

Какую функцию выполняет диод VD в работе логического элемента, схема которого приведена на рисунке?

увеличивает логический перепад

обеспечивает закрытое состояние транзистора VТ3 при открытых транзисторах VТ2 и VТ4

увеличивает быстродействие

увеличивает потребляемую мощность

Укажите к какому типу логики относится логический элемент, схема которого приведена на рисунке?

диодно-транзисторная логика

транзисторно-транзисторная логика

интегральная инжекционная логика

эмиттерно-связанная логика

Какую функцию выполняют диоды D4 и D5 в работе базового логического элемента, схема которого приведена на рисунке?

повышают помехоустойчивость

разделяют цепи входа и выхода логического элемента

фильтруют помехи, попадающие на вход логического  элемента

выделяют постоянную составляющую сигнала

К какому типу логики относится базовый логический элемент, схема которого приведена на рисунке?

диодно-транзисторная логика

интегральная инжекционная логика

тразисторно-транзисторная логика

эмиттерно-связанная логика

Укажите три причины, которые определяют самое высокое быстродействие логических элементов ЭСЛ по сравнению с другими ЛЭ

уменьшение логического перепада

увеличение количества элементов схемы

выбор активного режима работы транзисторов (исключая режимы насыщения и отсечки)

использование эмиттерных повторителей (VT1 и VT6), ускоряющих перезаряд паразитных ёмкостей

Какую логическую функцию реализует логический элемент, схема которого приведена на рисунке?

И

ИЛИ

ИЛИ-НЕ

И-НЕ

Укажите назначение многоколлекторного транзистора (МКТ) VT1 в схеме базового логического элемента интегральной инжекционной логики (И²Л)

элемент защиты логических транзисторов VT2, VT3, VT4

инжектор (индивидуальный генератор тока для каждого из логических транзисторов VT2, VT3, VT4)

усилитель тока

инвертор, реализующий функцию НЕ

Для чего нужен сдвиг уровня потенциала в схеме базового логического элемента, схема которого приведена на рисунке?

для повышения помехоустойчивости

для снижения уровня помех, излучаемых логическим элементом

для повышения быстродействия

для повышения уровня напряжения выходного сигнала

Укажите три основных достоинства интегральной инжекционной логики (И²Л)по сравнению с другими типами логики

экономичность

высокая степень интеграции

низкое напряжение питания

высокий уровень инжекции

Каким образом реализуется функция ИЛИ-НЕ базовым логическим элементом интегральной инжекционной логики (И2Л)

подключением коллекторов транзистора VT1 к базам транзисторов VT2, VT3, VT4

соединением базы транзистора VT1 с «общим проводом»

соединением эмиттера VT1 с плюсом источника питания

параллельным включением ключей на транзисторах VT2, VT3, VT4

Укажите схему базового логического элемента КМОП ТЛ, реализующего функцию И-НЕ

Укажите схему базового логического элемента интегральной инжекционной логики (И²Л)

Укажите два основных преимущества базового логического элемента КМОП ТЛ по сравнению с базовым логическим элементом ТТЛ

более высокое быстродействие

более высокая помехоустойчивость

более высокая экономичность (на низких частотах)

более простая технология производства

Какую функцию выполняют транзистор Т1 и резистор R2 в работе базового логического элемента, схема которого приведена на рисунке?

препятствуют прохождению  входных сигналов на выход логического элемента

реализуют схему электронного  ключа, выполняющего логическую функцию НЕ

выполняют функцию И

согласуют входные и выходные уровни сигналов

К какому типу логики относится базовый логический элемент, схема которого приведена на рисунке?

тразисторно-транзисторная логика

интегральная инжекционная логика

диодно-транзисторная логика

эмиттерно-связанная логика

Укажите логическую функцию, которую выполняет базовый логический элемент, схема которого приведена на рисунке

И-ИЛИ-НЕ

ИЛИ

И-НЕ

И

Как изменится время разряда паразитной ёмкости Спар при переходе от схемы базового логического элемента ТТЛ с простым инвертором к схеме со сложным инвертором?

уменьшится в два раза

незначительно уменьшится

не изменится

значительно возрастёт

Укажите схему базового логического элемента КМОП ТЛ, реализующего функцию ИЛИ-НЕ

Какую функцию выполняют транзисторы VT2, VT3, VT4 в работе логического элемента, схема которого приведена на рисунке?

на их основе реализуется функция НЕ сложного инвертора

стабилизируют работу логического элемента

повышают помехоустойчивость

повышают быстродействие

Укажите причину высокой нагрузочной способности базового логического элемента ЭСЛ

более высокая потребляемая мощность

повышенное напряжение питания

работа транзисторов в активном (линейном) режиме, без захода в режим насыщения

наличие на выходах логического элемента эмиттерных повторителей

Какую логическую функцию выполняют приведённые на рисунках логические элементы?

ИЛИ

ИЛИ-НЕ

И-НЕ

И

Почему логические элементы КМОП ТЛ отличаются высокой экономичностью?

потому что стоки транзисторов соединены вместе

потому что схема содержит мало элементов

потому что в статическом режиме через транзисторы не протекает ток

потому, что использованы полевые транзисторы

Базовые логические элементы какого типа логики потребляют самую малую мощность?

КМОП ТЛ

ЭСЛ

И²Л

ДТЛ

Укажите главное достоинство базового логического элемента КМОП ТЛ

рекордная экономичность (на низких частотах)

более простая технология изготовления

высокое быстродействие

малые габариты

Чем вызван переход от схемы базового логического элемента ТТЛ с простым инвертором к схеме со сложным инвертором?

необходимостью повышения надёжности

необходимостью повышения быстродействия

необходимостью увеличения коэффициента объединения по входу

энергетическими соображениями

Укажите причину, по которой помехоустойчивость логических элементов ЭСЛ оказывается ниже по сравнению с другими логическими элементами

сложная схема логического элемента

уменьшенный логический перепад сигналов

более высокая мощность, потребляемая логическим элементом

большое количество транзисторов

Укажите схему базового логического элемента эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ)

Укажите схему базового логического элемента диодно-транзисторной логики

Почему в цифровой схемотехнике применяются преимущественно n-p-n-транзисторы?

потому, что потребляют меньшую мощность

потому, что n-p-n-транзисторы привычнее в электронике

потому, что обеспечивают более высокое быстродействие логических элементов

потому, что занимают меньше места на подложке

Какую функцию выполняют диоды D1, D2, D3, и резистор R1 в работе базового логического элемента, схема которого приведена на рисунке?

вычитают один входной сигнал из другого

выполняют логическую функцию И

ограничивают входные сигналы

суммируют входные сигналы

Укажите назначение транзисторов VT2, VT3, VT4 в схеме базового логического элемента интегральной инжекционной логики (И²Л)

повышают быстродействие логического элемента

реализуют функцию ИЛИ-НЕ

защищают транзистор VT1 от перегрузки

усиливают логические сигналы, поступающие на входы ЛЭ

Укажите три типа логики, в базовых логических элементах которых используются полупроводниковые диоды?

эмиттерно-связанная логика

диодно-транзисторная логика

транзисторно-транзисторная логика

интегральная инжекционная логика

Укажите три основных недостатка базового логического элемента эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ)

большое потребление энергии

низкое быстродействие

большое количество резисторов

сложная схемотехника

К какому типу логики относится базовый логический элемент , схема которого приведена на рисунке?

тразисторно-транзисторная логика

интегральная инжекционная логика

диодно-транзисторная логика

эмиттерно-связанная логика

Базовые логические элементы какого типа логики имеют самое высокое быстродействие?

КМОП ТЛ

ЭСЛ

И Л

ДТЛ

Укажите схему базового логического элемента эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ)

Укажите два возможных пути повышения быстродействия базовых логических элементов ТТЛ

переход от схемы с простым инвертором к схеме со сложным инвертором

изоляция схемы от внешних мешающих воздействий

использование в схеме полевых транзисторов

использование в схеме биполярных транзисторов с диодами Шоттки

Почему логические элементы на арсенид-галлиевых транзисторах обладают более высоким быстродействием по сравнению с логическими элементами на кремниевых транзисторах?

потому, что подвижность электронов в арсениде галлия значительно выше, чем в кремнии

потому, что подвижность дырок в арсениде галлия значительно выше, чем в кремнии

потому, что время жизни электронов в арсениде галлия значительно меньше, чем в кремнии

потому, что время жизни дырок в арсениде галлия значительно меньше, чем в кремнии

Укажите три достоинства логических элементов И2Л по сравнению с логическими элементами на биполярных транзисторах других типов логики

более высокая экономичность

более высокая степень интеграции

значительно меньшее напряжение питания

более высокая помехоустойчивость

Укажите схему электронного ключа на однотипных МДП-транзисторах

Укажите три причины, по которым на выходах базового логического элемента ЭСЛ установлены эмиттерные повторители

для сдвига уровня выходного напряжения (для согласования уровней выходного напряжения данного и входного напряжения следующего логического элемента)

для увеличения выходного сопротивления

для повышения быстродействия

для повышения нагрузочной способности ЛЭ

Укажите основное достоинство базового логического элемента эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ)

простая схемотехника

высокая термостойкость

малое потребление энергии

высокое быстродействие

Укажите схему базового логического элемента МОП ТЛ, реализующего функцию И-НЕ

Выполняем тестирование он-лайн для студентов Университета Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича по Электронике.
Стоимость прохождения on-line теста по разделу 1 уточняйте при заказе (присылаете логин и пароль от личного кабинета, мы сообщим Вам стоимость).

Ответы на тест по разделу 1 по Электронике выложены у нас на сайте.
Стоимость за ответ указана напротив каждого вопроса.

Укажите технологическую операцию, с помощью которой создается база вертикального биполярного транзистора полупроводниковых интегральных схем?
диффузия
фотолитография
эпитаксия
травление

В чем заключается основное преимущество биполярного транзистора с диодом Шоттки по сравнению с базовым биполярным транзистором в цифровых схемах?
в более простой технологии изготовления

в более высоком быстродействии вследствие исключения возможности перехода транзистора в режим насыщения

в более высокой температурной стойкости

в более высоких усилительных свойствах

Укажите рисунок, на котором представлена структура биполярного транзистора с диодом Шоттки.

Какой из указанных типов интегральных схем обладает наибольшей радиационной стойкостью?
полупроводниковые интегральные схемы
тонкопленочные гибридные интегральные схемы
вакуумные интегральные схемы
толстопленочные гибридные интегральные схемы

Укажите два возможных варианта создания конденсаторов полупро-водниковых интегральных схем.
на основе структуры «металл-диэлектрик-полупроводник»
на основе поликристаллического кремния
на основе p-n-перехода
на основе диоксида кремния

Укажите рисунок, на котором представлена структура базового биполярного транзистора полупроводниковой интегральной схемы, изготовленного по эпитаксиально-планарной технологии.

Укажите рисунок, на котором представлена структура базового биполярного транзистора полупроводниковой интегральной схемы, изготовленного по изопланарной технологии.

Укажите рисунок, на котором представлена структура биполярного горизонтального p-n-p-транзистора.

Какой из перечисленных вариантов литографии позволяет получить наиболее высокую разрешающую способность?
фотолитография
электронно-лучевая литография
рентгеновская литография
ионно-лучевая литография

Укажите вариант диодного включения базового биполярного транзистора полупроводниковых интегральных схем, который позволяет обеспечить максимальное быстродействие диода.

Укажите два вида технологии, используемых для создания гибридных интегральных схем.
транзисторная
нанотехнология
пленочная
полупроводниковая

Укажите рисунок, на котором представлена структура многоэмиттерного биполярного транзистора.

Укажите рисунок, на котором представлена структура многоколлекторного биполярного транзистора.

Укажите две основные области применения гибридных интегральных схем.
экстремальные климатические условия
мощные устройства
цифровая электроника
диапазон сверхвысоких частот (СВЧ)

Укажите три недостатка интегральных конденсаторов
низкая удельная емкость интегральных конденсаторов

малые размеры интегральных конденсаторов

большое сопротивление нижней обкладки интегральных конденсаторов

нелинейная зависимость ёмкости интегральных конденсаторов от приложенного напряжения

Укажите различие между элементами и компонентами интегральных схем.
элементы могут быть выделены как самостоятельное изделие, а компоненты – не могут

компоненты могут быть выделены как самостоятельное изделие, а элементы – не могут

элементы реализуют функцию какого-либо электрорадиоэлемента, а компоненты – не реализуют

компоненты реализуют функцию какого-либо электрорадиоэлемента, а элементы – не реализуют

Укажите формулу для коэффициента K, определяющего степень интеграции интегральных схем (N – количество элементов и компонентов на подложке интегральной схемы)?
K=lgN
K=lnN
K=lg(N+1)
K=ln(N+1)

Укажите рисунок, на котором показана изоляция элементов полупроводниковых интегральных схем с помощью обратно смещенного p-n-перехода.

Укажите рисунок, на котором показана изоляция элементов полупроводниковых интегральных схем с помощью структуры кремний на диэлектрике

Укажите рисунок, на котором показана комбинированная изоляция элементов полупроводниковых интегральных схем, сочетающая изоляцию с помощью диэлектрика и обратно смещенного p-n-перехода.

Укажите рисунок, на котором показана изоляция элементов полупроводниковых интегральных схем с помощью диэлектрика

Укажите рисунок, на котором представлен фрагмент структуры полупроводниковой интегральной схемы, являющийся результатом диффузии?

Укажите рисунок, на котором представлен фрагмент структуры полупроводниковой интегральной схемы, являющийся результатом эпитаксии?

Почему в интегральных схемах редко используются конденсаторы?
потому, что методы интегральной технологии не позволяют создавать конденсаторы емкостью более нескольких сотен пикофарад

потому, что интегральные конденсаторы имеют ограниченный срок службы

потому, что методы интегральной технологии не обеспечивают необходимую точность изготовления конденсаторов

потому, что интегральные конденсаторы имеют большой температурный коэффициент емкости

Укажите два основных класса интегральных схем, различающиеся функциональным назначением (сигналами, которые они преобразуют)
аналоговые
цифровые
полупроводниковые
гибридные

Укажите толщину пленок гибридных интегральных схем, соответствующую элементам тонкопленочных и толстопленочных схем
более 100 мкм - для толстопленочных схем
более 1 мкм - для толстопленочных схем
менее 0,01 мкм - для тонкопленочных схем
менее 1 мкм - для тонкопленочных схем

Укажите два варианта диодного включения базового биполярного транзистора полупроводниковых интегральных схем, которые позволяют обеспечить максимальное пробивное напряжение диода.

Укажите две причины, по которым надежность интегральных схем значительно выше, чем схем аналогичной сложности на дискретных элементах?
потому, что длина соединительных проводников в интегральных схемах значительно меньше, чем в схемах на дискретных элементах

потому, что габариты и масса интегральных схем значительно ниже, чем схем на дискретных элементах

потому, что качество контактов в интегральных схемах значительно выше, чем в схемах на дискретных элементах

потому, что число контактов в интегральных схемах значительно меньше, чем в схемах на дискретных элементах

Укажите рисунок, на котором представлен фрагмент структуры полупроводниковой интегральной схемы, являющийся результатом ионного легирования?

Укажите два основных преимущества вертикальных структур биполярных транзисторов полупроводниковых интегральных схем по сравнению с горизонтальными.
более высокие усилительные свойства
более высокая температурная стойкость
более высокое пробивное напряжение
более высокое быстродействие

Почему базовые биполярные транзисторы полупроводниковых интегральных схем называются вертикальными?
потому, что скрытый n⁺-слой расположен наже коллекторного эпитаксиального слоя

потому. что электроны пересекают базу и переходы транзистора вертикально (перпендикулярно плоскости подложки)

потому, что дырки пересекают базу и переходы транзистора вертикально (перпендикулярно плоскости подложки)

потому, что коллекторный эпитаксиальный слой расположен на поверхности подложки

Почему технологический разброс параметров однотипных элементов интегральных схем оказывается одинаковым?
потому, что интегральные элементы расположены на общей подложке

потому, что размеры интегральных элементов очень малы

потому, что интегральные элементы изолированы от подложки

потому, что для создания интегральных элементов используется групповая технология

Чем объясняются более высокие усилительные свойства и быстродействие вертикальных биполярных транзисторов по сравнению с горизонтальными?
тем, что примесь в базе вертикального транзистора распределена неравномерно, в результате чего в ней возникает электрическое поле, тормозящее электроны, движущиеся через базу

тем, что в базе вертикального транзистора электроны не преодолевают тормозящего действия электрического поля

тем, что примесь в базе вертикального транзистора распределена неравномерно, в результате чего в ней возникает электрическое поле, ускоряющее электроны, движущиеся через базу

тем, что подвижность электронов в вертикальных транзисторах оказывается выше, чем в горизонтальных

Укажите рисунок, на котором представлена структура комплементарной пары МДП-транзисторов полупроводниковой интегральной схемы.

Почему вертикальные биполярные транзисторы называются дрейфовыми?
потому, что границы между областями структуры вертикальных транзисторов дрейфуют в пространстве при изменении различных факторов

потому, что статические характеристики вертикальных транзисторов имеют значительный температурный дрейф

потому, что в базе вертикальных транзисторов имеет место эффект насыщения дрейфовой скорости электронов

потому, что электрическое поле, возникающее в базе из-за неравномерного распределения в ней примеси, ускоряет электроны, движущиеся через базу, т.е. придает им дрейфовую составляющую скорости

Чем определяется плотность упаковки интегральной схемы?
количеством активных элементов, приходящихся на единицу площади подложки

выражением K=lnN, где N - количество элементов и компонентов на подложке интегральной схемы

выражением K=lgN, где N - количество элементов и компонентов на подложке интегральной схемы

количеством элементов и компонентов, приходящихся на единицу площади подложки

Укажите три причины, по которым повышение степени интеграции интегральных схем является магистральным направлением развития радиоэлектроники?
увеличение надежности радиоэлеткронной аппаратуры

увеличение тепловой и радиационной стойкости радиоэлектронной аппаратуры

уменьшение стоимости производства радиоэлектронной аппаратуры

уменьшение габаритов и массы радиоэлеткронной аппаратуры

Укажите, в каком соотношении должны находиться длина затвора L_З и длина канала L_КМДП-транзисторов полупроводниковых интегральных схем для обеспечения максимального быстродействия транзисторов.
L_З<<L_К
L_З>L_К
L_З=L_К
L_З<L_К

Какие три проблемы необходимо решать при повышении степени интеграции интегральных схем?
проблему межслойных переходов
проблему уменьшения размеров элементов
проблему теплоотвода
проблему увеличения толщины подложки

Почему групповая технология производства значительно снижает стоимость интегральных схем по сравнению со схемами на дискретных элементах?
потому, что групповая технология увеличивает плотность упаковки элементов

потому, что групповая технология обеспечивает одинаковые температурные зависимости параметров интегральных элементов

потому, что групповая технология обеспечивает одинаковый разброс параметров элементов

потому, что каждая операция технологического цикла используется для создания одновременно большого числа интегральных элементов

Чем обеспечивается изоляция элементов гибридных интегральных схем друг от друга?
созданием специальных изолированных карманов для каждого элемента

корпусированием каждого элемента

высоким удельным сопротивлением диэлектрической подложки

обратно смещенным p-n-переходом

Каким конструктивно-технологическим приемом обеспечивается равенство длины затвора L_З и длины канала L_КМДП-транзисторов полупроводниковых интегральных схем?
созданием самосовмещенного затвора

использованием поликремниевого затвора

использованием ионно-лучевой литографии

отбраковкой транзисторов, не удовлетворяющих указанному условию

Укажите два типа гибридных интегральных схем
изопланарные
тонкопленочные
эпитаксиально-планарные
толстопленочные