WhatsApp: +79119522521

Telegram: +79119522521

Путь:

Выполненные ранее работы и работы на заказ

Санкт-Петербургский Государственный Университет Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича

Основы схемотехники

Учебные материалы

Методичка 2010

СПбГУТ им. проф. М.А. Бонч-Бруевича
Методические указания к курсовому проектированию
предварительных каскадов RC-усилителей систем передачи информации.
(для студентов заочного обучения)
Санкт-Петербург
2010

Стоимость выполнения курсового проекта по основам схемотехники уточняйте при заказе.
Вариант задания определяется по трем цифрам студенческого шифра.

Содержанием курсового проекта является проектирование входного широкополосного RC-усилителя, источником сигнала которого является генератор тока. Подобные усилители находят широкое применение в видеоаппаратуре, а также в блоках управления радио- и видеотехникой.

001

Исходные данные по варианту 001:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307А;
I_c_нач= 6 мА
S_max= 9 мA/B
U_отс.= -3 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ339А;
Р_к= 250 мBт
U_{кэ max}= 25 В
I_{к max}= 25 мА
h_21max= 100
h_21min= 25
f_т= 300 МГц
С_к= 2 пФ
τ_к= 25 пс
Е_о = 10 В – источник питания;
R_2н = 1,2 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 20 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 2 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

025

Исходные данные по варианту 025:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307А;
I_c_нач= 6 мА
S_max= 9 мA/B
U_отс.= -3 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ325А;
Р_к= 225 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 30 мА
h_21max= 90
h_21min= 30
f_т= 800 МГц
С_к= 2,5 пФ
τ_к= 125 пс
Е_о = 10 В – источник питания;
R_2н = 0,9 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 30 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 2 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

031

Исходные данные по варианту 031:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307А;
I_c_нач= 6 мА
S_max= 9 мA/B
U_отс.= -3 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ325В;
Р_к= 225 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 30 мА
h_21max= 400
h_21min= 160
f_т= 1000 МГц
С_к= 2,5 пФ
τ_к= 125 пс
Е_о = 10 В – источник питания;
R_2н = 1,2 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 20 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 2 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

032

Исходные данные по варианту 032:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307А;
I_c_нач= 6 мА
S_max= 9 мA/B
U_отс.= -3 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ325В;
Р_к= 225 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 30 мА
h_21max= 400
h_21min= 160
f_т= 1000 МГц
С_к= 2,5 пФ
τ_к= 125 пс
Е_о = 11 В – источник питания;
R_2н = 1,3 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 30 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 3 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

036

Исходные данные по варианту 036:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307А;
I_c_нач= 6 мА
S_max= 9 мA/B
U_отс.= -3 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ325В;
Р_к= 225 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 30 мА
h_21max= 400
h_21min= 160
f_т= 1000 МГц
С_к= 2,5 пФ
τ_к= 125 пс
Е_о = 11 В – источник питания;
R_2н = 1,0 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 10 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 3 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

040

Исходные данные по варианту 040:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307А;
I_c_нач= 6 мА
S_max= 9 мA/B
U_отс.= -3 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ355А;
Р_к= 225 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 30 мА
h_21max= 300
h_21min= 80
f_т= 1500 МГц
С_к= 6 пФ
τ_к= 60 пс
Е_о = 9 В – источник питания;
R_2н = 1,0 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 10 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 1 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

043

Исходные данные по варианту 043:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307А;
I_c_нач= 6 мА
S_max= 9 мA/B
U_отс.= -3 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ355А;
Р_к= 225 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 30 мА
h_21max= 300
h_21min= 80
f_т= 1500 МГц
С_к= 6 пФ
τ_к= 60 пс
Е_о = 12 В – источник питания;
R_2н = 1,0 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 10 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 2 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

045

Исходные данные по варианту 045:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307А;
I_c_нач= 6 мА
S_max= 9 мA/B
U_отс.= -3 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ355А;
Р_к= 225 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 30 мА
h_21max= 300
h_21min= 80
f_т= 1500 МГц
С_к= 6 пФ
τ_к= 60 пс
Е_о = 10 В – источник питания;
R_2н = 0,9 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 30 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 2 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

049

Исходные данные по варианту 049:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307А;
I_c_нач= 6 мА
S_max= 9 мA/B
U_отс.= -3 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ355А;
Р_к= 225 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 30 мА
h_21max= 300
h_21min= 80
f_т= 1500 МГц
С_к= 6 пФ
τ_к= 60 пс
Е_о = 10 В – источник питания;
R_2н = 1,3 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 30 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 2 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

061

Исходные данные по варианту 061:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307А;
I_c_нач= 6 мА
S_max= 9 мA/B
U_отс.= -3 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ382А;
Р_к= 100 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 20 мА
h_21max= 330
h_21min= 40
f_т= 1800 МГц
С_к= 2 пФ
τ_к= 15 пс
Е₀ = 10 В – источник питания;
R_2н = 1,2 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
fн = 20 кГц – нижняя граничная частота;
fв = 2 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

067

Исходные данные по варианту 067:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307А;
I_c_нач= 6 мА
S_max= 9 мA/B
U_отс.= -3 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ382А;
Р_к= 100 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 20 мА
h_21max= 330
h_21min= 40
f_т= 1800 МГц
С_к= 2 пФ
τ_к= 15 пс
Е₀ = 12 В – источник питания;
R_2н = 1,1 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
fн = 20 кГц – нижняя граничная частота;
fв = 2 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

078

Исходные данные по варианту 078:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307А;
I_c_нач= 6 мА
S_max= 9 мA/B
U_отс.= -3 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ315А;
Р_к= 150 мBт
U_{кэ max}= 25 В
I_{к max}= 100 мА
h_21max= 120
h_21min= 30
f_т= 270 МГц
С_к= 7 пФ
τ_к= 150 пс
Е_о = 9 В – источник питания;
R_2н = 1,2 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 30 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 1 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

090

Исходные данные по варианту 090:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307А;
I_c_нач= 6 мА
S_max= 9 мA/B
U_отс.= -3 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ373Г;
Р_к= 150 мBт
U_{кэ max}= 60 В
I_{к max}= 50 мА
h_21max= 125
h_21min= 50
f_т= 250 МГц
С_к= 8 пФ
τ_к= 200 пс
Е_о = 9 В – источник питания;
R_2н = 1,0 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 10 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 1 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

091

Исходные данные по варианту 091:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307А;
I_c_нач= 6 мА
S_max= 9 мA/B
U_отс.= -3 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ373Г;
Р_к= 150 мBт
U_{кэ max}= 60 В
I_{к max}= 50 мА
h_21max= 125
h_21min= 50
f_т= 250 МГц
С_к= 8 пФ
τ_к= 200 пс
Е_о = 10 В – источник питания;
R_2н = 1,2 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 20 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 2 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

092

Исходные данные по варианту 092:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307А;
I_c_нач= 6 мА
S_max= 9 мA/B
U_отс.= -3 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ373Г;
Р_к= 150 мBт
U_{кэ max}= 60 В
I_{к max}= 50 мА
h_21max= 125
h_21min= 50
f_т= 250 МГц
С_к= 8 пФ
τ_к= 200 пс
Е_о = 11 В – источник питания;
R_2н = 1,3 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 30 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 3 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

095

Исходные данные по варианту 095:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307А;
I_c_нач= 6 мА
S_max= 9 мA/B
U_отс.= -3 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ373Г;
Р_к= 150 мBт
U_{кэ max}= 60 В
I_{к max}= 50 мА
h_21max= 125
h_21min= 50
f_т= 250 МГц
С_к= 8 пФ
τ_к= 200 пс
Е_о = 10 В – источник питания;
R_2н = 0,9 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 30 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 2 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

106

Исходные данные по варианту 106:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Б;
I_c_нач= 10 мА
S_max= 15 мA/B
U_отс.= -5 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ339А;
Р_к= 250 мBт
U_{кэ max}= 25 В
I_{к max}= 25 мА
h_21max= 100
h_21min= 25
f_т= 300 МГц
С_к= 2 пФ
τ_к= 25 пс
Е_о = 11 В – источник питания;
R_2н = 1,0 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 10 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 3 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

107

Исходные данные по варианту 107:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Б;
I_c_нач= 10 мА
S_max= 15 мA/B
U_отс.= -5 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ339А;
Р_к= 250 мBт
U_{кэ max}= 25 В
I_{к max}= 25 мА
h_21max= 100
h_21min= 25
f_т= 300 МГц
С_к= 2 пФ
τ_к= 25 пс
Е_о = 12 В – источник питания;
R_2н = 1,1 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 20 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 2 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

116

Исходные данные по варианту 116:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Б;
I_c_нач= 10 мА
S_max= 15 мA/B
U_отс.= -5 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ342Б;
Р_к= 250 мBт
U_{кэ max}= 25 В
I_{к max}= 50 мА
h_21max= 500
h_21min= 200
f_т= 300 МГц
С_к= 8 пФ
τ_к= 300 пс
Е_о = 11 В – источник питания;
R_2н = 1,0 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 10 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 3 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

122

Исходные данные по варианту 122:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Б;
I_c_нач= 10 мА
S_max= 15 мA/B
U_отс.= -5 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ325А;
Р_к= 225 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 30 мА
h_21max= 90
h_21min= 30
f_т= 800 МГц
С_к= 2,5 пФ
τ_к= 125 пс
Е_о = 11 В – источник питания;
R_2н = 1,3 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 30 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 3 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

129

Исходные данные по варианту 129:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Б;
I_c_нач= 10 мА
S_max= 15 мA/B
U_отс.= -5 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ325А;
Р_к= 225 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 30 мА
h_21max= 90
h_21min= 30
f_т= 800 МГц
С_к= 2,5 пФ
τ_к= 125 пс
Е_о = 10 В – источник питания;
R_2н = 1,3 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 30 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 2 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

131

Исходные данные по варианту 131:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Б;
I_c_нач= 10 мА
S_max= 15 мA/B
U_отс.= -5 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ325В;
Р_к= 225 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 30 мА
h_21max= 400
h_21min= 160
f_т= 1000 МГц
С_к= 2,5 пФ
τ_к= 125 пс
Е_о = 10 В – источник питания;
R_2н = 1,2 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 20 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 2 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

134

Исходные данные по варианту 134:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Б;
I_c_нач= 10 мА
S_max= 15 мA/B
U_отс.= -5 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ325В;
Р_к= 225 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 30 мА
h_21max= 400
h_21min= 160
f_т= 1000 МГц
С_к= 2,5 пФ
τ_к= 125 пс
Е_о = 9 В – источник питания;
R_2н = 0,8 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 20 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 1 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

144

Исходные данные по варианту 144:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Б;
I_c_нач= 10 мА
S_max= 15 мA/B
U_отс.= -5 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ355А;
Р_к= 225 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 30 мА
h_21max= 300
h_21min= 80
f_т= 1500 МГц
С_к= 6 пФ
τ_к= 60 пс
Е_о = 9 В – источник питания;
R_2н = 0,8 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 20 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 1 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

146

Исходные данные по варианту 146:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Б;
I_c_нач= 10 мА
S_max= 15 мA/B
U_отс.= -5 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ355А;
Р_к= 225 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 30 мА
h_21max= 300
h_21min= 80
f_т= 1500 МГц
С_к= 6 пФ
τ_к= 60 пс
Е_о = 11 В – источник питания;
R_2н = 1,0 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 10 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 3 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

149

Исходные данные по варианту 149:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Б;
I_c_нач= 10 мА
S_max= 15 мA/B
U_отс.= -5 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ355А;
Р_к= 225 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 30 мА
h_21max= 300
h_21min= 80
f_т= 1500 МГц
С_к= 6 пФ
τ_к= 60 пс
Е_о = 10 В – источник питания;
R_2н = 1,3 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 30 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 2 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

167

Исходные данные по варианту 167:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Б;
I_c_нач= 10 мА
S_max= 15 мA/B
U_отс.= -5 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ382А;
Р_к= 100 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 20 мА
h_21max= 330
h_21min= 40
f_т= 1800 МГц
С_к= 2 пФ
τ_к= 15 пс
Е₀ = 12 В – источник питания;
R_2н = 1,1 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
fн = 20 кГц – нижняя граничная частота;
fв = 2 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

182

Исходные данные по варианту 182:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Б;
I_c_нач= 10 мА
S_max= 15мA/B
U_отс.= -5 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ316В;
Р_к= 150 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 30 мА
h_21max= 120
h_21min= 40
f_т= 800 МГц
С_к= 3 пФ
τ_к= 150 пс
Е_о = 11 В – источник питания;
R_2н = 1,3 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 30 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 3 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

188

Исходные данные по варианту 188:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Б;
I_c_нач= 10 мА
S_max= 15мA/B
U_отс.= -5 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ316В;
Р_к= 150 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 30 мА
h_21max= 120
h_21min= 40
f_т= 800 МГц
С_к= 3 пФ
τ_к= 150 пс
Е_о = 9 В – источник питания;
R_2н = 1,2 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 30 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 1 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

189

Исходные данные по варианту 189:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Б;
I_c_нач= 10 мА
S_max= 15мA/B
U_отс.= -5 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ316В;
Р_к= 150 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 30 мА
h_21max= 120
h_21min= 40
f_т= 800 МГц
С_к= 3 пФ
τ_к= 150 пс
Е_о = 10 В – источник питания;
R_2н = 1,3 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 30 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 2 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

196

Исходные данные по варианту 196:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Б;
I_c_нач= 10 мА
S_max= 15 мA/B
U_отс.= -5 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ373Г;
Р_к= 150 мBт
U_{кэ max}= 60 В
I_{к max}= 50 мА
h_21max= 125
h_21min= 50
f_т= 250 МГц
С_к= 8 пФ
τ_к= 200 пс
Е_о = 11 В – источник питания;
R_2н = 1,0 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 10 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 3 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

249

Исходные данные по варианту 249:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307В;
I_c_нач= 10 мА
S_max= 15 мA/B
U_отс.= -5 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ355А;
Р_к= 225 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 30 мА
h_21max= 300
h_21min= 80
f_т= 1500 МГц
С_к= 6 пФ
τ_к= 60 пс
Е_о = 10 В – источник питания;
R_2н = 1,3 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 30 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 2 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

252

Исходные данные по варианту 252:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307В;
I_c_нач= 10 мА
S_max= 15 мA/B
U_отс.= -5 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ375А;
Р_к= 200 мBт
U_{кэ max}= 30 В
I_{к max}= 10 мА
h_21max= 300
h_21min= 60
f_т= 250 МГц
С_к= 5 пФ
τ_к= 300 пс
Е_о = 11 В – источник питания;
R_2н = 1,3 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 30 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 3ф МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

263

Исходные данные по варианту 263:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307В;
I_c_нач= 10 мА
S_max= 15 мA/B
U_отс.= -5 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ382А;
Р_к= 100 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 20 мА
h_21max= 330
h_21min= 40
f_т= 1800 МГц
С_к= 2 пФ
τ_к= 15 пс
Е₀ = 12 В – источник питания;
R_2н = 1,0 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
fн = 10 кГц – нижняя граничная частота;
fв = 2 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

301

Исходные данные по варианту 301:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Г;
I_c_нач= 16 мА
S_max= 12 мA/B
U_отс.= -6 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ339А;
Р_к= 250 мBт
U_{кэ max}= 25 В
I_{к max}= 25 мА
h_21max= 100
h_21min= 25
f_т= 300 МГц
С_к= 2 пФ
τ_к= 25 пс
Е_о = 10 В – источник питания;
R_2н = 1,2 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 20 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 2 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

304

Исходные данные по варианту 304:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Г;
I_c_нач= 16 мА
S_max= 12 мA/B
U_отс.= -6 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ339А;
Р_к= 250 мBт
U_{кэ max}= 25 В
I_{к max}= 25 мА
h_21max= 100
h_21min= 25
f_т= 300 МГц
С_к= 2 пФ
τ_к= 25 пс
Е_о = 9 В – источник питания;
R_2н = 0,9 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 20 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 1 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

309

Исходные данные по варианту 309:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Г;
I_c_нач= 16 мА
S_max= 12 мA/B
U_отс.= -6 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ339А;
Р_к= 250 мBт
U_{кэ max}= 25 В
I_{к max}= 25 мА
h_21max= 100
h_21min= 25
f_т= 300 МГц
С_к= 2 пФ
τ_к= 25 пс
Е_о = 10 В – источник питания;
R_2н = 1,3 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 30 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 2 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

312

Исходные данные по варианту 312:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Г;
I_c_нач= 16 мА
S_max= 12 мA/B
U_отс.= -6 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ342Б;
Р_к= 250 мBт
U_{кэ max}= 25 В
I_{к max}= 50 мА
h_21max= 500
h_21min= 200
f_т= 300 МГц
С_к= 8 пФ
τ_к= 300 пс
Е_о = 11 В – источник питания;
R_2н = 1,3 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 30 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 3 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

328

Исходные данные по варианту 328:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Г;
I_c_нач= 16 мА
S_max= 12 мA/B
U_отс.= -6 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ325А;
Р_к= 225 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 30 мА
h_21max= 90
h_21min= 30
f_т= 800 МГц
С_к= 2,5 пФ
τ_к= 125 пс
Е_о = 9 В – источник питания;
R_2н = 1,2 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 30 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 1 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

339

Исходные данные по варианту 339:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Г;
I_c_нач= 16 мА
S_max= 12 мA/B
U_отс.= -6 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ325В;
Р_к= 225 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 30 мА
h_21max= 400
h_21min= 160
f_т= 1000 МГц
С_к= 2,5 пФ
τ_к= 125 пс
Е_о = 10 В – источник питания;
R_2н = 1,3 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 30 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 2 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

391

Исходные данные по варианту 391:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Г;
I_c_нач= 16 мА
S_max= 12 мA/B
U_отс.= -6 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ373Г;
Р_к= 150 мBт
U_{кэ max}= 60 В
I_{к max}= 50 мА
h_21max= 125
h_21min= 50
f_т= 250 МГц
С_к= 8 пФ
τ_к= 200 пс
Е_о = 10 В – источник питания;
R_2н = 1,2 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 20 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 2 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

427

Исходные данные по варианту 427:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Д;
I_c_нач= 16 мА
S_max= 12 мA/B
U_отс.= -6 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ325А;
Р_к= 225 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 30 мА
h_21max= 90
h_21min= 30
f_т= 800 МГц
С_к= 2,5 пФ
τ_к= 125 пс
Е_о = 12 В – источник питания;
R_2н = 1,1 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 20 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 2 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

436

Исходные данные по варианту 436:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Д;
I_c_нач= 16 мА
S_max= 12 мA/B
U_отс.= -6 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ325В;
Р_к= 225 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 30 мА
h_21max= 400
h_21min= 160
f_т= 1000 МГц
С_к= 2,5 пФ
τ_к= 125 пс
Е_о = 11 В – источник питания;
R_2н = 1,0 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 10 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 3 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

472

Исходные данные по варианту 472:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Д;
I_c_нач= 16 мА
S_max= 12 мA/B
U_отс.= -6 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ315А;
Р_к= 150 мBт
U_{кэ max}= 25 В
I_{к max}= 100 мА
h_21max= 120
h_21min= 30
f_т= 270 МГц
С_к= 7 пФ
τ_к= 150 пс
Е_о = 11 В – источник питания;
R_2н = 1,3 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 30 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 3 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

527

Исходные данные по варианту 527:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Е;
I_c_нач= 3 мА
S_max= 8 мA/B
U_отс.= -2,5 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ325А;
Р_к= 225 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 30 мА
h_21max= 90
h_21min= 30
f_т= 800 МГц
С_к= 2,5 пФ
τ_к= 125 пс
Е_о = 12 В – источник питания;
R_2н = 1,1 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 20 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 2 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

555

Исходные данные по варианту 555:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Е;
I_c_нач= 3 мА
S_max= 8 мA/B
U_отс.= -2,5 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ375А;
Р_к= 200 мBт
U_{кэ max}= 30 В
I_{к max}= 10 мА
h_21max= 300
h_21min= 60
f_т= 250 МГц
С_к= 5 пФ
τ_к= 300 пс
Е_о = 10 В – источник питания;
R_2н = 0,9 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 30 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 2 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

572

Исходные данные по варианту 572:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Е;
I_c_нач= 3 мА
S_max= 8 мA/B
U_отс.= -2,5 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ315А;
Р_к= 150 мBт
U_{кэ max}= 25 В
I_{к max}= 100 мА
h_21max= 120
h_21min= 30
f_т= 270 МГц
С_к= 7 пФ
τ_к= 150 пс
Е_о = 11 В – источник питания;
R_2н = 1,3 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 30 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 3 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

667

Исходные данные по варианту 667:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Ж;
I_c_нач= 14 мА
S_max= 4 мA/B
U_отс.= -7 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ382А;
Р_к= 100 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 20 мА
h_21max= 330
h_21min= 40
f_т= 1800 МГц
С_к= 2 пФ
τ_к= 15 пс
Е_о = 12 В – источник питания;
R_2н = 1,1 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 20 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 2 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

682

Исходные данные по варианту 682:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Ж;
I_c_нач= 14 мА
S_max= 4 мA/B
U_отс.= -7 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ316В;
Р_к= 150 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 30 мА
h_21max= 120
h_21min= 40
f_т= 800 МГц
С_к= 3 пФ
τ_к= 150 пс
Е_о = 11 В – источник питания;
R_2н = 1,3 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 30 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 3 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

683

Исходные данные по варианту 683:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Ж;
I_c_нач= 14 мА
S_max= 4 мA/B
U_отс.= -7 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ316В;
Р_к= 150 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 30 мА
h_21max= 120
h_21min= 40
f_т= 800 МГц
С_к= 3 пФ
τ_к= 150 пс
Е_о = 12 В – источник питания;
R_2н = 1,0 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 10 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 2 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

686

Исходные данные по варианту 686:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Ж;
I_c_нач= 14 мА
S_max= 4 мA/B
U_отс.= -7 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ316В;
Р_к= 150 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 30 мА
h_21max= 120
h_21min= 40
f_т= 800 МГц
С_к= 3 пФ
τ_к= 150 пс
Е_о = 11 В – источник питания;
R_2н = 1,0 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 10 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 3 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

691

Исходные данные по варианту 691:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Ж;
I_c_нач= 14 мА
S_max= 4 мA/B
U_отс.= -7 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ373Г;
Р_к= 150 мBт
U_{кэ max}= 60 В
I_{к max}= 50 мА
h_21max= 125
h_21min= 50
f_т= 250 МГц
С_к= 8 пФ
τ_к= 200 пс
Е_о = 10 В – источник питания;
R_2н = 1,2 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 20 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 2 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

802

Исходные данные по варианту 802:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Б;
I_c_нач= 10 мА
S_max= 15 мA/B
U_отс.= -5 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ339А;
Р_к= 250 мBт
U_{кэ max}= 25 В
I_{к max}= 25 мА
h_21max= 100
h_21min= 25
f_т= 300 МГц
С_к= 2 пФ
τ_к= 25 пс
Е_о = 11 В – источник питания;
R_2н = 1,3 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 30 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 3 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

832

Исходные данные по варианту 832:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307Б;
I_c_нач= 10 мА
S_max= 15 мA/B
U_отс.= -5 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ325В;
Р_к= 225 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 30 мА
h_21max= 400
h_21min= 160
f_т= 1000 МГц
С_к= 2,5 пФ
τ_к= 125 пс
Е_о = 11 В – источник питания;
R_2н = 1,3 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 30 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 3 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

968

Исходные данные по варианту 968:

V1 – фотодиод ФДК-227, используемый в качестве источника сигнала;
V2 – полевой транзистор КП307В;
I_c_нач= 10 мА
S_max= 15 мA/B
U_отс.= -5 В
С_зи= 5 пФ
С_зс= 1,5 пФ
V3 и V4 – биполярный транзистор КТ382А;
Р_к= 100 мBт
U_{кэ max}= 15 В
I_{к max}= 20 мА
h_21max= 330
h_21min= 40
f_т= 1800 МГц
С_к= 2 пФ
τ_к= 15 пс
Е_о = 9 В – источник питания;
R_2н = 1,2 кОм – сопротивление внешней нагрузки;
f_н = 30 кГц – нижняя граничная частота;
f_в = 1 МГц – верхняя граничная частота.

Работу высылаем в формате WORD + копия PDF, так же к работе прилагаются файлы выполненные в программе FASTMEAN

Методичка 2011

Методическое письмо
по курсу
Основы схемотехники
Студентам заочного обучения специальности 210406
Санкт-Петербург
2011

Стоимость выполнения контрольной работы по основам схемотехники уточняйте при заказе.

Контрольная работа
Задача 1
На рисунке приведены три принципиальные схемы однокаскадного устройства.
Необходимо представить в отчёте:
- предварительный расчёт по постоянному току;
- проверку этого расчёта на компьютере;
- принципиальную схему усилительного каскада;
- эквивалентную схему транзистора;
- эквивалентную схему устройства;
- амплитудно-частотную характеристику;
- фазочастотную характеристику;
- переходную характеристику устройства.
Задача 2
Необходимо представить в отчете:
- условие задачи
- принципиальную схему усилительного каскада
- расчет номинальных значений сопротивлений резисторов R1 и R2
- макромодель ОУ с расчетом её элементов
- АЧХ усилителя с ОС и без неё с указанием граничной частоты по уровню 3дБ
- схему рассчитанного устройства при разомкнутой петле ОС
- характеристики петлевого усиления с указанием запаса устойчивости по фазе
- ПХ усилителя при длительности импульса tи =25 мкс с указанием времени нарастания tн

Скрыть