whatsappWhatsApp: +79119522521
telegramTelegram: +79119522521
Логин Пароль
и
для авторов
Выполненные работы

Электротехника



Санкт-Петербургский государственный экономический университет (СПбГЭУ)


М2004
М2004. Титульный лист

Министерство образования Российской Федерации
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования
Академия сервиса и экономики
Кафедра "Прикладная физика"
Т.В. Фарафонов
Электротехника и электроника
Методические указания по выполнению контрольной работы
для студентов специальностей 230100, 230300

К. р. 2, вариант 2

Задача 1
В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе (рисунок 1.1) начальное смещение базы в покое задается током резистора Rб. Рассчитать величину Rб так, чтобы в режиме покоя выполнялось условие .

Задача 2
В схеме транзисторного ключа (рисунок 2.1) даны сопротивления резистора Rк и значение параметра h21 транзистора. Рассчитать величину Rб так, чтобы в отсутствие подаваемых на базу импульсов транзистор входил в насыщение с коэффициентом насыщения Sн.

Задача 3
В схеме, изображенной на рисунке 3.1, в отсутствие сигнала на входе транзистор находится в состоянии насыщения, конденсатор С разряжен. В момент времени t = 0 транзистор запирается положительным импульсом длительностью t1, а затем вновь входит в состояние насыщения.

Задача 4
В схеме, изображенной на рисунке 4.1, на фотодиод с чувствительностью К падает световой поток Ф, в результате чего показание вольтметра изменилось на величину . Рассчитать величину светового потока Ф.

Задача 5
В схеме, приведенной на рисунке 5.1, определить сигналы на выходах Y1, Y2, Y3. Значения сигналов на входах Х1, Х2, Х3, Х4.

Есть готовый вариант 2.

Дата выполнения: 12/10/2009

К. р. 2, вариант 2
Мы используем cookie. Продолжая пользоваться сайтом,
вы соглашаетесь на их использование.   Подробнее