Санкт-Петербургский Государственный Университет Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича

Электроника

Министерство Российской Федерации по связи и информатизации
Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им.проф. М.А.Бонч-Бруевича
Факультет вечернего и заочного обучения
Е.И. Бочаров
ЭЛЕКТРОНИКА
Программа, контрольное задание и методические указания
200900, 201000, 201100
Санкт-Петербург
2004

Стоимость выполнения контрольной работы по электронике составляет ... руб

Контрольные задания

Задание 1
Задача 1.1
Схема усилительного каскада на биполярном транзисторе, включенном по схеме ОЭ, приведена на рис. Значения элементов схемы, параметры входного сигнала и нагрузки, а также масштабные коэффициенты N и M приведены в таблице исходных данных. Внутреннее сопротивление генератора и масштабный коэффициент для всх вариантов равны R = 10 кОм и L = 4.
Требуется:
Провести графический расчет усилительного каскада и определить его основные параметры.

Задача 1.2
Схема усилительного каскада на биполярном транзисторе, включенном по схеме ОЭ, приведена на рис. Значения элементов схемы, параметры входного сигнала и нагрузки, а также масштабные коэффициенты N и M приведены в таблице исходных данных. Внутреннее сопротивление генератора и масштабный коэффициент для всх вариантов равны R = 10 кОм и L = 4.
Требуется:
Провести аналитический расчет усилительного каскада на основе малосигнальной схемы замещения транзистора и определить его основные параметры

Задача 1.3
Схема усилительного каскада на полевом транзисторе с управляющим p-n-переходом, включенном по схеме ОИ, приведена на рисунке 1.1. Значения элементов схемы, параметры входного сигнала и нагрузки, а также основные параметры управляющей характеристики транзистора приведены в таблице исходных данных. Внутреннее сопротивление генератора и сопротивление в цепи затвора для всех вариантов равны RГ =10 кОм и RЗ =1 МОм.
Требуется:
Провести аналитический расчет усилительного каскада и определить его основные параметры.

Задание 2
Задача 2.1
Схема электронного ключа на биполярном транзисторе приведена на рис. Значения элементов схемы и масштабные коэффициенты N и M представлены в таблице исходных данных. Масштабный коэффициент L = 1 для всех вариантов. Семейства входных и выходных статических характеристик транзистора приведены на рисунках.
Требуется:
1. Построить статическую передаточную характеристику ключа.
2. Определить основные параметры ключа: уровни логических нуля U0 и единицы U1, логического перепада UЛ, минимальные уровни отпирающей и запирающей помех U0П и U1П, коэффициент помехоустойчивости КП.
3. Описать принцип работы ключа и указать, в каких базовых логических элементах он используется.

Задача 2.2
Схема электронного ключа на МДП-транзисторе приведена на рис. Значения элементов схемы и масштабные коэффициенты N представлены в таблице исходных данных. Семейство выходных характеристик транзистора приведено на рисунке
Требуется:
1. Построить статическую передаточную характеристику ключа.
2. Определить основные параметры ключа: уровни логических нуля U0 и единицы U1, логического перепада UЛ, минимальные уровни отпирающей и запирающей помех U0П и U1П, коэффициент помехоустойчивости КП.
3. Описать принцип работы ключа.

Задача 2.3
Схема электронного ключа на комплементарной паре МДП-транзисторов приведена на рис. Напряжение источника питания и масштабный коэффициент N представлены в таблице исходных данных. Семейства выходных характеристик активного и нагрузочного транзисторов приведены на рис.
Требуется:
1. Построить статическую передаточную характеристику ключа.
2. Определить основные параметры ключа: уровни логических нуля U0 и единицы U1, логического перепада UЛ, минимальные уровни отпирающей и запирающей помех U0П и U1П, коэффициент помехоустойчивости КП.
3. Описать принцип работы ключа и указать, в каких базовых логических элементах он используется.

Задание 3
На рисунке представлена схема различных генератора прямоугольных импульсов на основе операционного усилителя. Номер схемы и значения ее элементов, а также способ напыления тонких пленок приведены для каждого варианта в таблице исходных данных. Обозначение выводов и размеры бескорпусного операционного усилителя приведены на рисунке.
Требуется:
Разработать топологию тонкопленочной гибридной интегральной схемы, реализующей данное устройство на основе бескорпусного операционного усилителя, и нарисовать чертеж топологии в масштабе 10:1.

В контрольной работе необходимо выполнить всего 3 задачи по варианту.

Другие предметы, которые могут Вас заинтересовать:

Общая электротехника и электроника

Основы электротехники и электроники

Физические основы электроники

Электромагнитные поля и волны

Электротехника