Выполненные ранее работы и работы на заказ Санкт-Петербургский Государственный Университет Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-БруевичаЭлектроникаТест 2 по разделу 3
Выполняем тестирование он-лайн для студентов Университета Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича по Электронике.
Ответы на тест 2 по разделу 3 по Электронике выложены у нас на сайте. 40 Почему логические элементы на арсенид-галлиевых транзисторах обладают более высоким быстродействием по сравнению с логическими элементами на кремниевых транзисторах? потому, что подвижность электронов в арсениде галлия значительно выше, чем в кремнии потому, что подвижность дырок в арсениде галлия значительно выше, чем в кремнии потому, что время жизни электронов в арсениде галлия значительно меньше, чем в кремнии потому, что время жизни дырок в арсениде галлия значительно меньше, чем в кремнии Цена: 20 р.
показать все Другие предметы, которые могут Вас заинтересовать:Общая электротехника и электроникаОсновы электротехники и электроникиФизические основы электроникиЭлектромагнитные поля и волныЭлектротехника |