Физические основы электроники

Санкт-Петербургский Государственный Университет Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича

Бочаров Е.И., Павлов В.М., Першин Ю.М.
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ
Контрольное задание
и методические указания к его выполнению
для студентов заочной формы обучения
Основная профессиональная образовательная программа
210700 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи»
Квалификация бакалавр

Стоимость выполнения контрольной работы по физическим основам электроники составляет ... руб.
Контрольное задание состоит из трех частей (трех самостоятельных заданий)

Вариант 16

Задание 1
Задача 1.4

В полупроводнике р-типа уровень Ферми Е_Fp расположен на 0,25 эВ ниже середины запрещенной зоны Е_i.
Т = 300 К
Определить концентрации основных и неосновных носителей заряда n_р и p_р.
Исходные данные:
Материал полупроводника – Ge

Задание 2
Задача 2.6

Обратный тепловой ток резкого p-n-перехода I₀ = 10^-12 А, сопротивление тела базы равно r’_Б, Т = 300 К.
Рассчитать и построить на графике прямую ветвь ВАХ p-n-перехода в интервале токов i = 0…20 мА. Провести ее кусочно-линейную аппроксимацию и определить пороговое напряжение U. Определить смещение прямой ветви ВАХ вдоль оси напряжений Δ _u при изменении температуры на ΔТ.
Исходные данные:
Материал полупроводника – Si
Диф. длина электронов L_n = 0,030 см
Диф. длина дырок L_р = 0,02 см
Площадь перехода S = 0,002 см²
Сопротивление тела базы r’_Б = 50 Ом
Изменение температуры ΔТ = -10 К

Задание 3
Задача 3.5

Полевой транзистор с каналом n-типа, включенный по схеме ОИ, имеет параметры: удельная крутизна b, пороговое напряжение U_пор. Задано напряжение U_си.
Рассчитать и построить на графике управляющую характеристики транзистора i_с = f(U_зи). Расчеты выполнить в диапазоне изменения напряжения U_зи, соответствующем изменению тока i_с = 0…20 мА.
Исходные данные:
Удельная крутизна b = 7 мА/В²
Пороговое напряжение U_пор = 4,0 В
Напряжение между электродами U_СИ = 8,0 В