Физические основы электроники

Санкт-Петербургский Государственный Университет Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича

Бочаров Е.И., Павлов В.М., Першин Ю.М.
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ
Контрольное задание
и методические указания к его выполнению
для студентов заочной формы обучения
Основная профессиональная образовательная программа
210700 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи»
Квалификация бакалавр

Стоимость выполнения контрольной работы по физическим основам электроники составляет ... руб.
Контрольное задание состоит из трех частей (трех самостоятельных заданий)

Вариант 18

Задание 1
Задача 1.5

В полупроводнике n-типа концентрация атомов донорной примеси составляет N_Д = 10¹⁷см^-3, Т = 300 К.
Определить удельное сопротивление полупроводника ρ_n и его отношение к удельному сопротивлению собственного проводника ρ_n/ρ_i.
Исходные данные:
Материал полупроводника – Ge

Задание 2
Задача 2.4

Отношение ширины участков резкого p-n-перехода, лежащего в n- и p-областях Δ_n/Δ_p = 0,1.
Удельная электрическая проводимость p-области σ_р = 10 См/см, Т = 300 К.
Определить контактную разность потенциалов φ_к0 и ширину перехода Δ₀ в равновесном состоянии (u = 0).
Исходные данные:
Материал полупроводника – Si
Диф. длина электронов L_n= 0,015 см
Диф. длина дырок L_р= 0,01 см
Площадь перехода S = 0,004 см²

Задание 3
Задача 3.5

Полевой транзистор с каналом n-типа, включенный по схеме ОИ, имеет параметры: удельная крутизна b, пороговое напряжение U_пор. Задано напряжение U_си.
Рассчитать и построить на графике управляющую характеристики транзистора i_с = f(U_зи). Расчеты выполнить в диапазоне изменения напряжения U_зи, соответствующем изменению тока i_с = 0…20 мА.
Исходные данные:
Удельная крутизна b = 9 мА/В²
Пороговое напряжение U_пор = 5,0 В
Напряжение между электродами U_СИ = 6,0 В