Физические основы электроники

Санкт-Петербургский Государственный Университет Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича

Бочаров Е.И., Павлов В.М., Першин Ю.М.
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ
Контрольное задание
и методические указания к его выполнению
для студентов заочной формы обучения
Основная профессиональная образовательная программа
210700 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи»
Квалификация бакалавр

Стоимость выполнения контрольной работы по физическим основам электроники составляет ... руб.
Контрольное задание состоит из трех частей (трех самостоятельных заданий)

Вариант 19

Задание 1
Задача 1.2

В полупроводнике n-типа уровень Ферми Е_Fn расположен на 0,25 эВ выше середины запрещенной зоны Е_i. Т = 300 К.
Определить концентрации основных и неосновных носителей заряда n_n и p_n.
Исходные данные:
Материал полупроводника – Gе

Задание 2
Задача 2.8

Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны N_Д = 10¹⁸ см^-3 и N_А = 10¹⁶ см^-3. Площадь перехода равна S, время жизни неравновесных электронов τ _n = 10^-6 с, Т = 300 К.
Определит обратный тепловой ток перехода I₀, дифференциальное сопротивление r_pn и диффузионную емкость перехода С_диф при прямом токе i = 10 мА.
Исходные данные:
Материал полупроводника – Si
Диф. длина электронов L_n= 0,030 см
Диф. длина дырок L_р= 0,02 см
Площадь перехода S = 0,002 см²

Задание 3
Задача 3.2

Биполярный транзистор n-p-n-структуры, включенный по схеме ОЭ, имеет параметры: сквозной тепловой ток I₀, коэффициент передачи тока базы β. Задано напряжение U_кэ. Рассчитать и построить на графике входную i_б = f (U_бэ) и управляющую i_к = f (U_бэ ) характеристики транзистора. Расчеты выполнить в диапазоне изменения напряжения U_бэ, соответствующем изменению тока i_к = 0…20 мА.
Исходные данные:
Тепловой ток I₀ = 1,2·10^-13 А
Коэффициенты передачи тока базы β = 70
Напряжение между электродами U_КЭ = 12,0 В