Санкт-Петербургский Государственный Университет Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича
Тест по разделу 1
Выполняем тестирование он-лайн для студентов Университета Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича по Электронике.
Стоимость прохождения on-line теста по разделу 1 уточняйте при заказе (присылаете логин и пароль от личного кабинета, мы сообщим Вам стоимость).
Ответы на тест по разделу 1 по Электронике выложены у нас на сайте.
Стоимость за ответ указана напротив каждого вопроса.
33
Чем объясняются более высокие усилительные свойства и быстродействие вертикальных биполярных транзисторов по сравнению с горизонтальными?
тем, что примесь в базе вертикального транзистора распределена неравномерно, в результате чего в ней возникает электрическое поле, тормозящее электроны, движущиеся через базу
тем, что в базе вертикального транзистора электроны не преодолевают тормозящего действия электрического поля
тем, что примесь в базе вертикального транзистора распределена неравномерно, в результате чего в ней возникает электрическое поле, ускоряющее электроны, движущиеся через базу
тем, что подвижность электронов в вертикальных транзисторах оказывается выше, чем в горизонтальных