Выполняем тестирование он-лайн для студентов Университета Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича по Электронике. Стоимость прохождения on-line теста по разделу 1 уточняйте при заказе (присылаете логин и пароль от личного кабинета, мы сообщим Вам стоимость).
Ответы на тест по разделу 1 по Электронике выложены у нас на сайте. Стоимость за ответ указана напротив каждого вопроса.
Укажите технологическую операцию, с помощью которой создается база вертикального биполярного транзистора полупроводниковых интегральных схем? диффузия фотолитография эпитаксия травление
В чем заключается основное преимущество биполярного транзистора с диодом Шоттки по сравнению с базовым биполярным транзистором в цифровых схемах? в более простой технологии изготовления
в более высоком быстродействии вследствие исключения возможности перехода транзистора в режим насыщения
в более высокой температурной стойкости
в более высоких усилительных свойствах
Укажите рисунок, на котором представлена структура биполярного транзистора с диодом Шоттки.
Какой из указанных типов интегральных схем обладает наибольшей радиационной стойкостью? полупроводниковые интегральные схемы тонкопленочные гибридные интегральные схемы вакуумные интегральные схемы толстопленочные гибридные интегральные схемы
Укажите два возможных варианта создания конденсаторов полупро-водниковых интегральных схем. на основе структуры «металл-диэлектрик-полупроводник» на основе поликристаллического кремния на основе p-n-перехода на основе диоксида кремния
Укажите рисунок, на котором представлена структура базового биполярного транзистора полупроводниковой интегральной схемы, изготовленного по эпитаксиально-планарной технологии.
Укажите рисунок, на котором представлена структура базового биполярного транзистора полупроводниковой интегральной схемы, изготовленного по изопланарной технологии.
Укажите рисунок, на котором представлена структура биполярного горизонтального p-n-p-транзистора.
Какой из перечисленных вариантов литографии позволяет получить наиболее высокую разрешающую способность? фотолитография электронно-лучевая литография рентгеновская литография ионно-лучевая литография
Укажите вариант диодного включения базового биполярного транзистора полупроводниковых интегральных схем, который позволяет обеспечить максимальное быстродействие диода.
Укажите два вида технологии, используемых для создания гибридных интегральных схем. транзисторная нанотехнология пленочная полупроводниковая
Укажите рисунок, на котором представлена структура многоэмиттерного биполярного транзистора.
Укажите рисунок, на котором представлена структура многоколлекторного биполярного транзистора.
Укажите две основные области применения гибридных интегральных схем. экстремальные климатические условия мощные устройства цифровая электроника диапазон сверхвысоких частот (СВЧ)
Укажите три недостатка интегральных конденсаторов низкая удельная емкость интегральных конденсаторов
малые размеры интегральных конденсаторов
большое сопротивление нижней обкладки интегральных конденсаторов
нелинейная зависимость ёмкости интегральных конденсаторов от приложенного напряжения
Укажите различие между элементами и компонентами интегральных схем. элементы могут быть выделены как самостоятельное изделие, а компоненты – не могут
компоненты могут быть выделены как самостоятельное изделие, а элементы – не могут
элементы реализуют функцию какого-либо электрорадиоэлемента, а компоненты – не реализуют
компоненты реализуют функцию какого-либо электрорадиоэлемента, а элементы – не реализуют
Укажите формулу для коэффициента K, определяющего степень интеграции интегральных схем (N – количество элементов и компонентов на подложке интегральной схемы)? K=lgN K=lnN K=lg(N+1) K=ln(N+1)
Укажите рисунок, на котором показана изоляция элементов полупроводниковых интегральных схем с помощью обратно смещенного p-n-перехода.
Укажите рисунок, на котором показана изоляция элементов полупроводниковых интегральных схем с помощью структуры кремний на диэлектрике
Укажите рисунок, на котором показана комбинированная изоляция элементов полупроводниковых интегральных схем, сочетающая изоляцию с помощью диэлектрика и обратно смещенного p-n-перехода.
Укажите рисунок, на котором показана изоляция элементов полупроводниковых интегральных схем с помощью диэлектрика
Укажите рисунок, на котором представлен фрагмент структуры полупроводниковой интегральной схемы, являющийся результатом диффузии?
Укажите рисунок, на котором представлен фрагмент структуры полупроводниковой интегральной схемы, являющийся результатом эпитаксии?
Почему в интегральных схемах редко используются конденсаторы? потому, что методы интегральной технологии не позволяют создавать конденсаторы емкостью более нескольких сотен пикофарад
потому, что интегральные конденсаторы имеют ограниченный срок службы
потому, что методы интегральной технологии не обеспечивают необходимую точность изготовления конденсаторов
потому, что интегральные конденсаторы имеют большой температурный коэффициент емкости
Укажите два основных класса интегральных схем, различающиеся функциональным назначением (сигналами, которые они преобразуют) аналоговые цифровые полупроводниковые гибридные
Укажите толщину пленок гибридных интегральных схем, соответствующую элементам тонкопленочных и толстопленочных схем более 100 мкм - для толстопленочных схем более 1 мкм - для толстопленочных схем менее 0,01 мкм - для тонкопленочных схем менее 1 мкм - для тонкопленочных схем
Укажите два варианта диодного включения базового биполярного транзистора полупроводниковых интегральных схем, которые позволяют обеспечить максимальное пробивное напряжение диода.
Укажите две причины, по которым надежность интегральных схем значительно выше, чем схем аналогичной сложности на дискретных элементах? потому, что длина соединительных проводников в интегральных схемах значительно меньше, чем в схемах на дискретных элементах потому, что габариты и масса интегральных схем значительно ниже, чем схем на дискретных элементах потому, что качество контактов в интегральных схемах значительно выше, чем в схемах на дискретных элементах потому, что число контактов в интегральных схемах значительно меньше, чем в схемах на дискретных элементах
Укажите рисунок, на котором представлен фрагмент структуры полупроводниковой интегральной схемы, являющийся результатом ионного легирования?
Укажите два основных преимущества вертикальных структур биполярных транзисторов полупроводниковых интегральных схем по сравнению с горизонтальными. более высокие усилительные свойства более высокая температурная стойкость более высокое пробивное напряжение более высокое быстродействие
Почему базовые биполярные транзисторы полупроводниковых интегральных схем называются вертикальными? потому, что скрытый n+-слой расположен наже коллекторного эпитаксиального слоя
потому. что электроны пересекают базу и переходы транзистора вертикально (перпендикулярно плоскости подложки)
потому, что дырки пересекают базу и переходы транзистора вертикально (перпендикулярно плоскости подложки)
потому, что коллекторный эпитаксиальный слой расположен на поверхности подложки
Почему технологический разброс параметров однотипных элементов интегральных схем оказывается одинаковым? потому, что интегральные элементы расположены на общей подложке
потому, что размеры интегральных элементов очень малы
потому, что интегральные элементы изолированы от подложки
потому, что для создания интегральных элементов используется групповая технология
Чем объясняются более высокие усилительные свойства и быстродействие вертикальных биполярных транзисторов по сравнению с горизонтальными? тем, что примесь в базе вертикального транзистора распределена неравномерно, в результате чего в ней возникает электрическое поле, тормозящее электроны, движущиеся через базу тем, что в базе вертикального транзистора электроны не преодолевают тормозящего действия электрического поля тем, что примесь в базе вертикального транзистора распределена неравномерно, в результате чего в ней возникает электрическое поле, ускоряющее электроны, движущиеся через базу тем, что подвижность электронов в вертикальных транзисторах оказывается выше, чем в горизонтальных
Укажите рисунок, на котором представлена структура комплементарной пары МДП-транзисторов полупроводниковой интегральной схемы.
Почему вертикальные биполярные транзисторы называются дрейфовыми? потому, что границы между областями структуры вертикальных транзисторов дрейфуют в пространстве при изменении различных факторов потому, что статические характеристики вертикальных транзисторов имеют значительный температурный дрейф потому, что в базе вертикальных транзисторов имеет место эффект насыщения дрейфовой скорости электронов потому, что электрическое поле, возникающее в базе из-за неравномерного распределения в ней примеси, ускоряет электроны, движущиеся через базу, т.е. придает им дрейфовую составляющую скорости
Чем определяется плотность упаковки интегральной схемы? количеством активных элементов, приходящихся на единицу площади подложки выражением K=lnN, где N - количество элементов и компонентов на подложке интегральной схемы выражением K=lgN, где N - количество элементов и компонентов на подложке интегральной схемы количеством элементов и компонентов, приходящихся на единицу площади подложки
Укажите три причины, по которым повышение степени интеграции интегральных схем является магистральным направлением развития радиоэлектроники? увеличение надежности радиоэлеткронной аппаратуры
увеличение тепловой и радиационной стойкости радиоэлектронной аппаратуры
уменьшение стоимости производства радиоэлектронной аппаратуры
уменьшение габаритов и массы радиоэлеткронной аппаратуры
Укажите, в каком соотношении должны находиться длина затвора LЗ и длина канала LКМДП-транзисторов полупроводниковых интегральных схем для обеспечения максимального быстродействия транзисторов. LЗ<<LК LЗ>LК LЗ=LК LЗ<LК
Какие три проблемы необходимо решать при повышении степени интеграции интегральных схем? проблему межслойных переходов проблему уменьшения размеров элементов проблему теплоотвода проблему увеличения толщины подложки
Почему групповая технология производства значительно снижает стоимость интегральных схем по сравнению со схемами на дискретных элементах? потому, что групповая технология увеличивает плотность упаковки элементов
потому, что групповая технология обеспечивает одинаковые температурные зависимости параметров интегральных элементов
потому, что групповая технология обеспечивает одинаковый разброс параметров элементов
потому, что каждая операция технологического цикла используется для создания одновременно большого числа интегральных элементов
Чем обеспечивается изоляция элементов гибридных интегральных схем друг от друга? созданием специальных изолированных карманов для каждого элемента
корпусированием каждого элемента
высоким удельным сопротивлением диэлектрической подложки
обратно смещенным p-n-переходом
Каким конструктивно-технологическим приемом обеспечивается равенство длины затвора LЗ и длины канала LКМДП-транзисторов полупроводниковых интегральных схем? созданием самосовмещенного затвора
использованием поликремниевого затвора
использованием ионно-лучевой литографии
отбраковкой транзисторов, не удовлетворяющих указанному условию
Укажите два типа гибридных интегральных схем изопланарные тонкопленочные эпитаксиально-планарные толстопленочные
WhatsApp:
Telegram: +79119522521
