Санкт-Петербургский Государственный Университет Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича

Физические основы электроники

Бочаров Е.И., Павлов В.М., Першин Ю.М.
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ
Контрольное задание
и методические указания к его выполнению
для студентов заочной формы обучения
Основная профессиональная образовательная программа
210700 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи»
Квалификация бакалавр

Готовые работы по физическим основам электроники можно приобрести онлайн.
Стоимость одного готового варианта по физическим основам электроники указана напротив каждого варианта.
Стоимость выполнения контрольной работы на заказ уточняйте при заказе.

Решение подробно расписано в формате Word. На почту высылаем файл word + копию в pdf.
Выполнены следующие варианты:
(можно купить решенные ранее работы по физическим основам электроники онлайн и мгновенно получить на email)

Вариант 01

Задание 1
Задача 1.1
В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет N_D = 10¹⁶ см^-3, Т = 300 К.
Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов n_n и p_n и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны Е_Fn - E_i

Исходные данные:

Задание 2
Задача 2.3
Контактная разность потенциалов в резком p-n-переходе φ_к0 = 0,7 В. Удельная электрическая проводимость p-области σ_р = 1 См/см, Т = 300 К.
Определить ширину перехода Δ₀ и отношение ширины участков перехода, лежащих в n- и р-областях Δ_n/Δ_p.
Исходные данные:

Задание 3
Задача 3.1
Биполярный транзистор n-p-n-структуры, включенный по схеме ОЭ, имеет параметры:  сквозной тепловой ток I₀, коэффици-ент передачи тока базы β, инверсный коэффициент передачи тока базы β_I. Заданы напряжения между электродами U_бэ и U_кэ.
Определить в каком режиме работает транзистор. Рассчитать токи в цепях эмиттера i_э, коллектора i_к и базы i_б. Рассчитать токи i_э, i_к и i_б при увеличении напряжения U_бэ на 50 мВ.
Исходные данные:

Другие предметы, которые могут Вас заинтересовать:

Электроника