Бочаров Е.И., Павлов В.М., Першин Ю.М. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ
Контрольное задание и методические указания к его выполнению
для студентов заочной формы обучения
Основная профессиональная образовательная программа
210700 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи»
Квалификация бакалавр
Стоимость выполнения контрольной работы по физическим основам электроники составляет ... руб.
Контрольное задание состоит из трех частей (трех самостоятельных заданий)
Вариант 01
Задание 1 Задача 1.1
В полупроводнике n-типа концентрация атомов донорной примеси составляет Nд = 1016 см-3, Т = 300 К.
Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Исходные данные:
Материал полупроводника - GaAs.
Задание 2 Задача 2.3
Контактная разность потенциалов в резком p-n-переходе φк0 = 0,7 В. Удельная электрическая проводимость p-области σр = 1 См/см, Т = 300 К.
Определить ширину перехода Δ0 и отношение ширины участков перехода, лежащих в n- и р-областях Δn/Δp. Исходные данные:
Материал полупроводника – Ge
Диф. длина электронов Ln = 0,017 см
Диф. длина дырок Lр = 0,01 см
Площадь перехода S = 0,001 см2
Подвижность дырок μp = 1900 см2/В·с
Собственная концентрация носителей заряда ni = 2,4·1013
Задание 3 Задача 3.1
Биполярный транзистор n-p-n структуры включен по схеме ОЭ имеет параметры:
сквозной тепловой ток I0 = 10-14 А
коэффициент передачи тока базы β = 150
инверсный коэффициент передачи тока базы β1 = 3.
Заданы напряжения между электродами UБЭ = 0,75 В, UКЭ = 0,70 В.
Определить в каком режиме работает транзистор. Рассчитать токи в цепях эмиттера iэ , коллектора iк и базы iб.
Рассчитать токи iэ, iк и iб при увеличении напряжения Uбэ на 50 мВ.