whatsappWhatsApp: +79119522521
telegramTelegram: +79119522521
Логин Пароль
и
для авторов
Выполненные ранее работы и работы на заказ

Санкт-Петербургский Государственный Университет Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича

Физические основы электроники

Методичка 2013 бакалавры
Методичка 2013 бакалавры. Титульный лист

Бочаров Е.И., Павлов В.М., Першин Ю.М.
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ
Контрольное задание
и методические указания к его выполнению
для студентов заочной формы обучения
Основная профессиональная образовательная программа
210700 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи»
Квалификация бакалавр

Готовые работы по физическим основам электроники можно приобрести онлайн.
Стоимость одного готового варианта по физическим основам электроники указана напротив каждого варианта.
Стоимость выполнения контрольной работы на заказ уточняйте при заказе.

Решение подробно расписано в формате Word. На почту высылаем файл word + копию в pdf.
Выполнены следующие варианты:
(можно купить решенные ранее работы по физическим основам электроники онлайн и мгновенно получить на email)

Вариант 28

Задание 1
Задача 1.6
Отношение удельного сопротивления проводника n-типа к удельному сопротивлению собственного проводника составляет rn/ri = 10-3, Т = 300 К.
Определить концентрацию атомов донорной примеси Nд.
Исходные данные:

№ варианта

Материал полупроводника

Время t, мкc

Расстояние х, см

Масштабный коэффициент К

28

Si

 

 

 


Задание 2
Задача 2.8
Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны Nд = 1018 см-3 и NА = 1016 см-3. Площадь перехода равна S, время жизни неравновесных электронов tn = 10-6 с, Т = 300 К.
Определить обратный тепловой ток перехода I0, дифференциальное сопротивление rpn и диффузионную емкость перехода Сдиф при прямом токе i = 10 мА.
Исходные данные:


№ варианта

Материал полупроводника

Диффузионная длина электронов Ln, см

Диффузионная длина дырок Lp, см

Площадь перехода S, см2

Сопротивление тела базы r /Б, Ом

Изменение температуры ΔT, К

28

Si

0,030

0,02

0,002

-

-


Задание 3
Задача 3.6
Полевой транзистор с каналом n-типа, включенный по схеме ОИ, имеет параметры: удельная крутизна b, пороговое напряжение Uпор. Заданы напряжение питания Eс и нагрузочное сопротивление  Rс.
Рассчитать и построить на графике передаточную характеристику транзистора Uси = f (Uзи ). Расчеты выполнить в диапазоне изменения напряжения Uзи = Uпор … 0. В рабочей точке, соответствующей Uси = EС / 2, рассчитать коэффициент усиления по току KI.
Исходные данные:


№ варианта

Удельная крутизна b, мА/В2

Пороговое напряжение Uпор, В

Напряжения между электродами

Питающее напряжение Eс, В

Нагрузочное сопротивление Rс, кОм

Uзи, В

Uси, В

28

7,0

-5,0

-

-

10,0

6,0

 

Цена: 600 р.        

Вариант 01, Вариант 09, Вариант 10, Вариант 16, Вариант 18, Вариант 19, Вариант 20, Вариант 21, Вариант 22, Вариант 24, Вариант 25, Вариант 26, Вариант 27, Вариант 28, Вариант 29

показать все



Другие предметы, которые могут Вас заинтересовать:

Электроника

Мы используем cookie. Продолжая пользоваться сайтом,
вы соглашаетесь на их использование.   Подробнее