Санкт-Петербургский Государственный Университет Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича

Физические основы электроники

Бочаров Е.И., Павлов В.М., Першин Ю.М.
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ
Контрольное задание
и методические указания к его выполнению
для студентов заочной формы обучения
Основная профессиональная образовательная программа
210700 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи»
Квалификация бакалавр

Готовые работы по физическим основам электроники можно приобрести онлайн.
Стоимость одного готового варианта по физическим основам электроники указана напротив каждого варианта.
Стоимость выполнения контрольной работы на заказ уточняйте при заказе.

Решение подробно расписано в формате Word. На почту высылаем файл word + копию в pdf.
Выполнены следующие варианты:
(можно купить решенные ранее работы по физическим основам электроники онлайн и мгновенно получить на email)

Вариант 09

Задание 1
Задача 1.9
Время жизни неравновесных электронов в полупроводнике, находящемся под внешним воздействием, t_n = 10^-6 с.
Определить относительное уменьшение концентрации избыточных электронов за время t после выключения внешнего воздействия Δn(t)/Δn(0).

Исходные данные:

Задание 2
Задача 2.4
Отношение ширины участков резкого p-n-перехода, лежащего в n- и p-областях   Δ_n/Δ_p = 0,1. Удельная электрическая проводимость p-области s_р = 10 См/см, Т = 300 К.
Определить контактную разность потенциалов j_к0 и ширину перехода Δ₀ в равновесном состоянии (u = 0).
Исходные данные:

Задание 3
Задача 3.1
Биполярный транзистор n-p-n-структуры, включенный по схеме ОЭ, имеет параметры:  сквозной тепловой ток I₀, коэффициент передачи тока базы β, инверсный коэффициент передачи тока базы β_I. Заданы напряжения между электродами U_бэ и U_кэ.
Определить в каком режиме работает транзистор. Рассчитать токи в цепях эмиттера i_э, коллектора i_к и базы i_б. Рассчитать токи i_э, i_к и i_б при увеличении напряжения U_бэ на 50 мВ.
Исходные данные:

Другие предметы, которые могут Вас заинтересовать:

Электроника