whatsappWhatsApp: +79119522521
telegramTelegram: +79119522521
Логин Пароль
и
для авторов
Выполненные ранее работы и работы на заказ

Санкт-Петербургский Государственный Университет Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича

Физические основы электроники

Методичка 2013 бакалавры
Методичка 2013 бакалавры. Титульный лист

Бочаров Е.И., Павлов В.М., Першин Ю.М.
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ
Контрольное задание
и методические указания к его выполнению
для студентов заочной формы обучения
Основная профессиональная образовательная программа
210700 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи»
Квалификация бакалавр

Готовые работы по физическим основам электроники можно приобрести онлайн.
Стоимость одного готового варианта по физическим основам электроники указана напротив каждого варианта.
Стоимость выполнения контрольной работы на заказ уточняйте при заказе.

Решение подробно расписано в формате Word. На почту высылаем файл word + копию в pdf.
Выполнены следующие варианты:
(можно купить решенные ранее работы по физическим основам электроники онлайн и мгновенно получить на email)

Вариант 27

Задание 1
Задача 1.10
Время жизни неравновесных электронов в полупроводнике, находящемся под внешним воздействием, tn = 10-7 с.
Определить интервал времени t после выключения внешнего воздействия, в течение которого концентрация избыточных электронов уменьшится в К раз.

Исходные данные:

№ варианта

Материал полупроводника

Время t, мкc

Расстояние х, см

Масштабный коэффициент К

27

Si

 

 

5


Задание 2
Задача 2.1
Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны Nд = 1016 см-3 и NА = 1015 см-3, Т = 300 К.
Определить контактную разность потенциалов jк0 и ширину перехода Δ0 в равновесном состоянии (u = 0), а также отношение ширины участков перехода, лежащих в n- и p- областях Δnp.
Исходные данные:


№ варианта

Материал полупроводника

Диффузионная длина электронов Ln, см

Диффузионная длина дырок Lp, см

Площадь перехода S, см2

Сопротивление тела базы r /Б, Ом

Изменение температуры ΔT, К

27

Si

0,015

0,01

0,004

-

-


Задание 3
Задача 3.3
Биполярный транзистор n-p-n-структуры, включенный по схеме ОЭ, имеет параметры:  сквозной  тепловой  ток  I0, коэффициент передачи тока базы  β. Заданы напряжение питания EК и нагрузочное сопротивление RК.
Рассчитать и построить на графике передаточную характеристику транзистора Uкэ = f (Uбэ). Расчеты выполнить в диапазоне изменения напряжения Uбэ, соответствующем изменению напряжения Uкэ = 0… EК. В рабочей точке, соответствующей Uкэ = EК/2, рассчитать коэффициенты усиления по току KI и по напряжению KU.
Исходные данные:

№ варианта

Тепловой ток I0, А

Коэффициенты передачи тока базы

Напряжения между электродами

Питающее напряжение EК, В

Нагрузочное сопротивление RК, кОм

β

β I

Uбэ, В

Uкэ, В

27

10­-13

90

-

-

-

9,0

1,0

 

Цена: 600 р.        

Вариант 01, Вариант 09, Вариант 10, Вариант 16, Вариант 18, Вариант 19, Вариант 20, Вариант 21, Вариант 22, Вариант 24, Вариант 25, Вариант 26, Вариант 27, Вариант 28, Вариант 29

показать все



Другие предметы, которые могут Вас заинтересовать:

Электроника

Мы используем cookie. Продолжая пользоваться сайтом,
вы соглашаетесь на их использование.   Подробнее