Бочаров Е.И., Павлов В.М., Першин Ю.М. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ
Контрольное задание и методические указания к его выполнению
для студентов заочной формы обучения
Основная профессиональная образовательная программа
210700 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи»
Квалификация бакалавр
Стоимость выполнения контрольной работы по физическим основам электроники составляет ... руб.
Контрольное задание состоит из трех частей (трех самостоятельных заданий)
Вариант 18
Задание 1 Задача 1.5
В полупроводнике n-типа концентрация атомов донорной примеси составляет
NД = 1017см-3, Т = 300 К.
Определить удельное сопротивление полупроводника ρn и его отношение к удельному сопротивлению собственного проводника ρn/ρi. Исходные данные:
Материал полупроводника – Ge
Задание 2 Задача 2.4
Отношение ширины участков резкого p-n-перехода, лежащего в n- и p-областях Δn/Δp = 0,1.
Удельная электрическая проводимость p-области σр = 10 См/см, Т = 300 К.
Определить контактную разность потенциалов φк0 и ширину перехода Δ0 в равновесном состоянии (u = 0). Исходные данные:
Материал полупроводника – Si
Диф. длина электронов Ln= 0,015 см
Диф. длина дырок Lр= 0,01 см
Площадь перехода S = 0,004 см2
Задание 3 Задача 3.5
Полевой транзистор с каналом n-типа, включенный по схеме ОИ, имеет параметры: удельная крутизна b, пороговое напряжение Uпор. Задано напряжение Uси.
Рассчитать и построить на графике управляющую характеристики транзистора iс = f(Uзи). Расчеты выполнить в диапазоне изменения напряжения Uзи, соответствующем изменению тока iс = 0…20 мА. Исходные данные:
Удельная крутизна b = 9 мА/В2
Пороговое напряжение Uпор = 5,0 В
Напряжение между электродами UСИ = 6,0 В