Физические основы электроники

Санкт-Петербургский Государственный Университет Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича

Бочаров Е.И., Павлов В.М., Першин Ю.М.
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ
Контрольное задание
и методические указания к его выполнению
для студентов заочной формы обучения
Основная профессиональная образовательная программа
210700 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи»
Квалификация бакалавр

Готовые работы по физическим основам электроники можно приобрести онлайн.
Стоимость одного готового варианта по физическим основам электроники указана напротив каждого варианта.
Стоимость выполнения контрольной работы на заказ уточняйте при заказе.

Решение подробно расписано в формате Word. На почту высылаем файл word + копию в pdf.
Выполнены следующие варианты:
(можно купить решенные ранее работы по физическим основам электроники онлайн и мгновенно получить на email)

Вариант 18

Задание 1
Задача 1.5
В полупроводнике n-типа концентрация атомов донорной примеси составляет  N_д = 10¹⁷см^-3, Т = 300 К.
Определить концентрацию атомов донорной примеси N_д.
Исходные данные:

Задание 2
Задача 2.4
Отношение ширины участков резкого p-n-перехода, лежащего в n- и p-областях   Δ_n/Δ_p = 0,1. Удельная электрическая проводимость p-области s_р = 10 См/см,  Т = 300 К.
Определить контактную разность потенциалов j_к0 и ширину перехода Δ₀ в равновесном состоянии (u = 0).
Исходные данные:

Задание 3
Задача 3.5
Полевой транзистор с каналом n-типа, включенный по схеме ОИ, имеет параметры: удельная крутизна b, пороговое напряжение U_пор. Задано напряжение U_си.
Рассчитать и построить на графике управляющую характеристики транзистора i_с = f(U_зи). Расчеты выполнить в диапазоне изменения напряжения U_зи, соответствующем  изменению тока  i_с = 0…20 мА
Исходные данные: