Физические основы электроники

Санкт-Петербургский Государственный Университет Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича

Методичка 2013 бакалавры

Бочаров Е.И., Павлов В.М., Першин Ю.М.
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ
Контрольное задание
и методические указания к его выполнению
для студентов заочной формы обучения
Основная профессиональная образовательная программа
210700 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи»
Квалификация бакалавр

Готовые работы по физическим основам электроники можно приобрести онлайн.
Стоимость одного готового варианта по физическим основам электроники указана напротив каждого варианта.
Стоимость выполнения контрольной работы на заказ уточняйте при заказе.

Решение подробно расписано в формате Word. На почту высылаем файл word + копию в pdf.
Выполнены следующие варианты:
(можно купить решенные ранее работы по физическим основам электроники онлайн и мгновенно получить на email)

Вариант 29

Задание 1
Задача 1.4
В полупроводнике р-типа уровень Ферми Е_Fp расположен на 0,25 эВ ниже середины запрещенной зоны Е_i. Т = 300 К
Определить концентрации основных и неосновных носителей заряда n_р и p_р.

Исходные данные:

№ варианта	Материал полупроводника	Время t, мкc	Расстояние х, см	Масштабный коэффициент К
29	Si

Задание 2
Задача 2.10
Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны N_д = 10¹⁷ см^-3 и N_А = 10¹⁵ см^-3. Площадь перехода равна S, Т = 300 К.
Определить тепловой ток перехода I₀, барьерную емкость перехода С_б и дифференциальное сопротивление перехода r_pn в равновесном состоянии (u = 0, i = 0).
Исходные данные:

№ варианта	Материал полупроводника	Диффузионная длина электронов L_n, см	Диффузионная длина дырок L_p, см	Площадь перехода S, см²	Сопротивление тела базы r^/_Б, Ом	Изменение температуры ΔT, К
29	Si	0,045	0,03	0,001	-	-

Задание 3
Задача 3.3
Биполярный транзистор n-p-n-структуры, включенный по схеме ОЭ, имеет параметры: сквозной тепловой ток I₀, коэффициент передачи тока базы β. Заданы напряжение питания E_К и нагрузочное сопротивление R_К.
Рассчитать и построить на графике передаточную характеристику транзистора U_кэ= f (U_бэ). Расчеты выполнить в диапазоне изменения напряжения U_бэ, соответствующем изменению напряжения U_кэ = 0… E_К. В рабочей точке, соответствующей U_кэ = E_К/2, рассчитать коэффициенты усиления по току K_I и по напряжению K_U.
Исходные данные:

№ варианта	Тепловой ток I₀, А	Коэффициенты передачи тока базы		Напряжения между электродами		Питающее напряжение E_К, В	Нагрузочное сопротивление R_К, кОм
		β	β_I	U_бэ, В	U_кэ, В
29	5·10^-13	85	-	-	-	12,0	1,5

Цена: 600 р.

Вариант 01, Вариант 09, Вариант 10, Вариант 16, Вариант 18, Вариант 19, Вариант 20, Вариант 21, Вариант 22, Вариант 24, Вариант 25, Вариант 26, Вариант 27, Вариант 28, Вариант 29

показать все