Санкт-Петербургский Государственный Университет Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича
Методичка 2013 бакалавры
Бочаров Е.И., Павлов В.М., Першин Ю.М. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ
Контрольное задание и методические указания к его выполнению
для студентов заочной формы обучения
Основная профессиональная образовательная программа
210700 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи»
Квалификация бакалавр
Стоимость выполнения контрольной работы по физическим основам электроники составляет ... руб.
Контрольное задание состоит из трех частей (трех самостоятельных заданий)
Вариант 20
Задание 1 Задача 1.9
Время жизни неравновесных электронов в полупроводнике, находящемся под внешним воздействием, τn = 10-6 с.
Определить относительное уменьшение концентрации избыточных электронов за время t после выключения внешнего воздействия Δn(t)/Δn(0) Исходные данные:
Материал полупроводника – Ge
Время t = 2·10-6 c
Задание 2 Задача 2.7
Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны NД = 1017 см-3 и NА = 1014 см-3. Площадь перехода равна S, Т = 300 К.
Определит обратный тепловой ток перехода I0, барьерную емкость перехода Сб при подаче на переход обратного напряжения u = 5 В. Исходные данные:
Материал полупроводника – Si
Диф. длина электронов Ln = 0,045 см
Диф. длина дырок Lр = 0,03 см
Площадь перехода S = 0,001 см2
Задание 3 Задача 3.5
Полевой транзистор с каналом n-типа, включенный по схеме ОИ, имеет параметры:
удельная крутизна b, пороговое напряжение Uпор. Задано напряжение Uси.
Рассчитать и построить на графике управляющую характеристики транзистора iс = f(Uзи). Расчеты выполнить в диапазоне изменения напряжения Uзи, соответствующем изменению тока iс = 0…20 мА. Исходные данные:
Удельная крутизна b = 11 мА/В2
Пороговое напряжение U пор = 6,0 В
Напряжение между электродами U СИ = 9,0 В