Физические основы электроники

Санкт-Петербургский Государственный Университет Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича

Методичка 2013 бакалавры

Бочаров Е.И., Павлов В.М., Першин Ю.М.
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ
Контрольное задание
и методические указания к его выполнению
для студентов заочной формы обучения
Основная профессиональная образовательная программа
210700 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи»
Квалификация бакалавр

Готовые работы по физическим основам электроники можно приобрести онлайн.
Стоимость одного готового варианта по физическим основам электроники указана напротив каждого варианта.
Стоимость выполнения контрольной работы на заказ уточняйте при заказе.

Решение подробно расписано в формате Word. На почту высылаем файл word + копию в pdf.
Выполнены следующие варианты:
(можно купить решенные ранее работы по физическим основам электроники онлайн и мгновенно получить на email)

Вариант 24

Задание 1
Задача 1.3
В полупроводнике р-типа концентрация атомов акцепторной примеси составляет N_А = 10¹⁷см^-3, Т = 300 К.
Определить концентрации основных и неосновных носителей заряда n_n и p_n и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны E_Fn - E_i.
Исходные данные:

№ варианта	Материал полупроводника	Время t, мкc	Расстояние х, см	Масштабный коэффициент К
24	Si

Задание 2
Задача 2.1
Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны N_д = 10¹⁶ см^-3 и N_А = 10¹⁵ см^-3, Т = 300 К.
Определить контактную разность потенциалов j_к0 и ширину перехода Δ₀ в равновесном состоянии (u = 0), а также отношение ширины участков перехода, лежащих в n- и p- областях Δ_n/Δ_p.
Исходные данные:

№ варианта	Материал полупроводника	Диффузионная длина электронов L_n, см	Диффузионная длина дырок L_p, см	Площадь перехода S, см²	Сопротивление тела базы r^/_Б, Ом	Изменение температуры ΔT, К
24	Si	0,015	0,01	0,004	-	-

Задание 3
Задача 3.6
Полевой транзистор с каналом n-типа, включенный по схеме ОИ, имеет параметры: удельная крутизна b, пороговое напряжение U_пор. Заданы напряжение питания E_си нагрузочное сопротивление R_с.
Рассчитать и построить на графике передаточную характеристику транзистора U_си= f (U_зи). Расчеты выполнить в диапазоне изменения напряжения U_зи = U_пор … 0. В рабочей точке, соответствующей U_си = E_С / 2, рассчитать коэффициент усиления по току K_I.
Исходные данные:

№ варианта	Удельная крутизна b, мА/В²	Пороговое напряжение U_пор, В	Напряжения между электродами		Питающее напряжение E_с, В	Нагрузочное сопротивление R_с, кОм
			U_зи, В	U_си, В
24	3,0	-3,0	-	-	7,0	8,0

Цена: 600 р.

Вариант 01, Вариант 09, Вариант 10, Вариант 16, Вариант 18, Вариант 19, Вариант 20, Вариант 21, Вариант 22, Вариант 24, Вариант 25, Вариант 26, Вариант 27, Вариант 28, Вариант 29

показать все