whatsappWhatsApp: +79119522521
telegramTelegram: +79119522521
Логин Пароль
и
для авторов
Выполненные работы

Физические основы электроники



Санкт-Петербургский Государственный Университет Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича


Методичка 2013 бакалавры
Методичка 2013 бакалавры. Титульный лист

Бочаров Е.И., Павлов В.М., Першин Ю.М.
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ
Контрольное задание
и методические указания к его выполнению
для студентов заочной формы обучения
Основная профессиональная образовательная программа
210700 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи»
Квалификация бакалавр

Готовые работы по физическим основам электроники можно приобрести онлайн.
Стоимость одного готового варианта по физическим основам электроники указана напротив каждого варианта.
Стоимость выполнения контрольной работы на заказ уточняйте при заказе.

Решение подробно расписано в формате Word. На почту высылаем файл word + копию в pdf.
Выполнены следующие варианты:
(можно купить решенные ранее работы по физическим основам электроники онлайн и мгновенно получить на email)

Вариант 25

Задание 1
Задача 1.5
В полупроводнике n-типа концентрация атомов донорной примеси составляет Nд = 1017см-3, Т = 300 К.
Определить удельное сопротивление полупроводника rn и его отношение к удельному сопротивлению собственного проводника rn/ri.

Исходные данные:

№ варианта

Материал полупроводника

Время t, мкc

Расстояние х, см

Масштабный коэффициент К

25

Si

 

 

 


Задание 2
Задача 2.6
Обратный тепловой ток резкого p-n-перехода I0 = 10-12 А, сопротивление тела базы равно r’Б, Т = 300 К.
Рассчитать и построить на графике прямую ветвь ВАХ p-n-перехода в интервале токов i = 0…20 мА. Провести ее кусочно-линейную аппроксимацию и определить пороговое напряжение U. Определить смещение прямой ветви ВАХ вдоль оси напряжений Δu при изменении температуры на ΔТ.
Исходные данные:


№ варианта

Материал полупроводника

Диффузионная длина электронов Ln, см

Диффузионная длина дырок Lp, см

Площадь перехода S, см2

Сопротивление тела базы r /Б, Ом

Изменение температуры ΔT, К

25

Si

0,030

0,02

0,002

20

50


Задание 3
Задача 3.3
Биполярный транзистор n-p-n-структуры, включенный по схеме ОЭ, имеет параметры:  сквозной  тепловой  ток  I0, коэффициент передачи тока базы  β. Заданы напряжение питания EК и нагрузочное сопротивление RК.
Рассчитать и построить на графике передаточную характеристику транзистора Uкэ = f (Uбэ). Расчеты выполнить в диапазоне изменения напряжения Uбэ, соответствующем изменению напряжения Uкэ = 0… EК. В рабочей точке, соответствующей Uкэ = EК/2, рассчитать коэффициенты усиления по току KI и по напряжению KU.
Исходные данные:

№ варианта

Тепловой ток I0, А

Коэффициенты передачи тока базы

Напряжения между электродами

Питающее напряжение EК, В

Нагрузочное сопротивление RК, кОм

β

β I

Uбэ, В

Uкэ, В

25

10­-14

110

-

-

-

7,0

1,5

 

Цена: 600 р.        

Вариант 01, Вариант 09, Вариант 10, Вариант 16, Вариант 18, Вариант 19, Вариант 20, Вариант 21, Вариант 22, Вариант 24, Вариант 25, Вариант 26, Вариант 27, Вариант 28, Вариант 29

показать все

Мы используем cookie. Продолжая пользоваться сайтом,
вы соглашаетесь на их использование.   Подробнее