Санкт-Петербургский Государственный Университет Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича
Методичка 2013 бакалавры
Бочаров Е.И., Павлов В.М., Першин Ю.М. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ
Контрольное задание и методические указания к его выполнению
для студентов заочной формы обучения
Основная профессиональная образовательная программа
210700 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи»
Квалификация бакалавр
Готовые работы по физическим основам электроники можно приобрести онлайн.
Стоимость одного готового варианта по физическим основам электроники указана напротив каждого варианта.
Стоимость выполнения контрольной работы на заказ уточняйте при заказе.
Решение подробно расписано в формате Word. На почту высылаем файл word + копию в pdf. Выполнены следующие варианты: (можно купить решенные ранее работы по физическим основам электроники онлайн и мгновенно получить на email)
Вариант 26
Задание 1 Задача 1.13
Полупроводник находится под стационарным внешним воздействием, выражающемся в однородном облучении его светом. Скорость генерации электронов под действием света Gвн = 1020 см-3/с. Время жизни неравновесных электронов в полупроводнике t = 10-7 с. Определить избыточную концентрацию электронов Δn. Исходные данные:
№ варианта
Материал полупроводника
Время t, мкc
Расстояние х, см
Масштабный коэффициент К
26
Si
Задание 2 Задача 2.10
Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны Nд = 1017 см-3 и NА = 1015 см-3. Площадь перехода равна S, Т = 300 К. Определить обратный тепловой ток перехода I0, барьерную емкость С бар и дифференциальное сопротивление перехода rpn в равновесном состоянии (u=0, i=0) Исходные данные:
№ варианта
Материал полупроводника
Диффузионная длина электронов Ln, см
Диффузионная длина дырок Lp, см
Площадь перехода S, см2
Сопротивление тела базы r /Б, Ом
Изменение температуры ΔT, К
26
Si
0,045
0,03
0,001
-
-
Задание 3 Задача 3.6
Полевой транзистор с каналом n-типа, включенный по схеме ОИ, имеет параметры: удельная крутизна b, пороговое напряжение Uпор. Заданы напряжение питания Eс и нагрузочное сопротивление Rс. Рассчитать и построить на графике передаточную характеристику транзистора Uси = f (Uзи ). Расчеты выполнить в диапазоне изменения напряжения Uзи = Uпор … 0. В рабочей точке, соответствующей Uси = EС / 2, рассчитать коэффициент усиления по току KI. Исходные данные: